申请/专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所

申请日：2020-11-20

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN112408316B

主分类号：B81C1/00

分类号：B81C1/00;G03F9/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.12#授权;2021.03.16#实质审查的生效;2021.02.26#公开

摘要：本发明提供一种双面超表面结构的制备方法，包括：提供呈镜像关系标记的第一光刻板及第二光刻板，且标记具有正反对准、正反偏移误差测量及下一工艺步骤对准的功能；提供衬底，并将呈镜像关系标记的图形分别转移至衬底两面，得到第一衬底样品；筛选出偏移误差在需求范围内的第一衬底样品，得到合格的第一衬底样品；将合格的第一衬底样品放入下一步骤所用光刻设备中，识别合格的第一衬底样品上具有下一工艺步骤对准功能的标记，并将双面超表面结构图形版图分别转移至合格的第一衬底样品的正反两面，得到第二衬底样品并刻蚀得到双面超表面结构。采用本方法能够成功制作出高精度对准的双面超表面结构，从而提高双面超表面结构的性能。

主权项：1.一种双面超表面结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供第一光刻板及第二光刻板，所述第一光刻板上具有第一标记，所述第二光刻板上具有第二标记，所述第一标记与所述第二标记呈镜像关系，所述第一标记与所述第二标记具有正反对准功能、正反偏移误差测量功能及下一工艺步骤对准功能；提供衬底，并采用蒸镀或溅射金属的方式将所述第一光刻板上的所述第一标记的图形及所述第二光刻板上的所述第二标记的图形分别转移至所述衬底的正反两面，得到第一衬底样品；根据所述第一标记与所述第二标记的偏移误差测量功能，筛选出偏移误差在需求范围内的所述第一衬底样品，得到合格的第一衬底样品；提供双面超表面结构图形版图，并将所述合格的第一衬底样品放入下一步骤所用光刻设备中，采用所述光刻设备识别所述合格的第一衬底样品上具有下一工艺步骤对准功能的所述第一标记及所述第二标记，并将所述双面超表面结构图形版图分别转移至所述合格的第一衬底样品的正反两面，得到第二衬底样品；采用刻蚀工艺刻蚀所述第二衬底样品正反两面，得到双面超表面结构。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 双面超表面结构的制备方法

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