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【发明授权】离子迁移谱仪的离子源_哈米尔顿森德斯特兰德公司_201911283739.7 

申请/专利权人:哈米尔顿森德斯特兰德公司

申请日:2019-12-13

公开(公告)日:2024-04-12

公开(公告)号:CN111739784B

主分类号:H01J49/16

分类号:H01J49/16

优先权:["20190325 US 16/363703"]

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.04.12#授权;2021.10.19#实质审查的生效;2020.10.02#公开

摘要:一种用于分析蒸气样品的离子迁移谱仪包括用于接收蒸气样品的多环离子源,其中所述多环离子源包括一系列环,其中所述多环离子源的每个环在其内表面上包括电离层,所述电离层用于对所述蒸气样品的至少一部分充电并且产生电离的蒸气样品。

主权项:1.一种用于分析蒸气样品的离子迁移谱仪,其包括:多环离子源,其被配置为接收蒸气样品,其中所述多环离子源包括一系列环,其中所述多环离子源的每个环在其内表面上包括电离层,所述电离层被配置为对所述蒸气样品的至少一部分充电并且产生电离的蒸气样品;和位于所述多环离子源下游的用于接收电压脉冲的静电门,所述静电门被配置为将所述电离的蒸气样品引导至所述离子迁移谱仪的分析区,其中所述离子迁移谱仪还包括位于所述多环离子源下游的反向场电离盘,其中所述反向场电离盘位于所述静电门的上游并且包括面向上游的表面,所述面向上游的表面包括电离涂层。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 哈米尔顿森德斯特兰德公司 离子迁移谱仪的离子源

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