申请/专利权人：芯创智(北京)微电子有限公司

申请日：2020-06-17

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN111884636B

主分类号：H03K17/284

分类号：H03K17/284

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.12#授权;2020.11.20#实质审查的生效;2020.11.03#公开

摘要：本发明公开了一种RS触发器输出延时补偿电路，包括：RS触发器和两条快速通路，RS触发器由两个与非门交叉耦合构成，第一个与非门的输入端通过第一条快速通路连接第二个与非门的输出端，第二个与非门的输入端通过第二条快速通路连接第一个与非门的输出端；其中，第一条快速通路和第二条快速通路的延时时间等于一个与非门的延时时间；第一个与非门的输入端用于接收差分输入信号A，输出端用于输出输出信号Y；第二个与非门的输入端用于接收差分输入信号B，输出端用于输出输出信号YN。本发明通过两条快速通路使输出信号Y和YN在输入信号都发生变化时，经过相同的延时时间后同时发生变化。

主权项：1.一种RS触发器输出延时补偿电路，其特征在于，包括：RS触发器和两条快速通路，所述RS触发器由两个与非门交叉耦合构成，第一个与非门的输入端通过第一条快速通路连接第二个与非门的输出端，所述第二个与非门的输入端通过第二条快速通路连接所述第一个与非门的输出端；其中，所述第一条快速通路和所述第二条快速通路的延时时间等于一个与非门的延时时间；所述第一个与非门的输入端用于接收差分输入信号A，输出端用于输出输出信号Y；所述第二个与非门的输入端用于接收差分输入信号B，输出端用于输出输出信号YN；其中，所述第一条快速通路包括：第一反相器和第一NMOS管，所述第一个与非门的输入端连接所述第一反相器的输入端，所述第一反相器的输出端连接所述第一NMOS管的栅极，所述第一NMOS管的源极接地，所述第一NMOS管的漏极连接所述第二个与非门的输出端；所述第二条快速通路包括：第二反相器和第二NMOS管，所述第二个与非门的输入端连接所述第二反相器的输入端，所述第二反相器的输出端连接所述第二NMOS管的栅极，所述第二NMOS管的源极接地，所述第二NMOS管的漏极连接所述第一个与非门的输出端。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 芯创智(北京)微电子有限公司 一种RS触发器输出延时补偿电路

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