申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司

申请日：2021-01-22

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN112886932B

主分类号：H03F3/20

分类号：H03F3/20

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.12#授权;2021.06.18#实质审查的生效;2021.06.01#公开

摘要：本发明公开了一种线性化设计的功率放大器，包括：输入及匹配模块，用于对输入的射频信号进行阻抗匹配并隔直；层叠功率放大模块，用于在偏置电压的控制下对匹配后的射频信号进行功率放大，并在线性度提升模块的影响下提高功率放大器的线性度；输出及匹配模块，用于对所述层叠功率放大模块的输出射频信号进行阻抗匹配并隔直；固定偏置模块，用于在参考电流Iref的控制下给所述层叠功率放大模块的共源NMOS功率放大管、多级共栅NMOS功率放大管设置偏置电压；线性度提升模块，用于将从所述输入及匹配模块获得的采样信号放大后馈入至所述层叠功率放大模块的级间。

主权项：1.一种线性化设计的功率放大器，包括：输入及匹配模块，用于对输入的射频信号进行阻抗匹配并隔直；层叠功率放大模块，用于在偏置电压的控制下对匹配后的射频信号进行功率放大，并在线性度提升模块的影响下提高功率放大器的线性度；输出及匹配模块，用于对所述层叠功率放大模块的输出射频信号进行阻抗匹配并隔直；固定偏置模块，用于在参考电流Iref的控制下给所述层叠功率放大模块的共源NMOS功率放大管、多级共栅NMOS功率放大管设置偏置电压；线性度提升模块，用于将从所述输入及匹配模块获得的采样信号放大且产生线性化三阶跨导补偿后馈入至所述层叠功率放大模块的第三级输入端；所述线性度提升模块包括采样隔直电容C9、PMOS采样功率放大管P9、NMOS采样功率放大管N9、第五偏置电阻R5、第六偏置电阻R6、第七偏置电阻R7以及耦合隔直电容CC。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 一种线性化设计的功率放大器

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