申请/专利权人：苏州高新区华成电子有限公司

申请日：2021-01-12

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN112768507B

主分类号：H01L29/06

分类号：H01L29/06;H01L29/16;H01L29/45;H01L29/47;H01L29/872;H01L21/329

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.12#授权;2021.05.25#实质审查的生效;2021.05.07#公开

摘要：本申请涉及一种肖特基二极管，包括壳体和本体，本体包括：重掺杂N型SiC衬底；轻掺杂N型SiC层，其生长在重掺杂N型SiC衬底上；重掺杂P型环区，其形成于轻掺杂N型SiC层上；轻掺杂P型环区，其形成于重掺杂P型环区内；介质保护层，其沉积在轻掺杂N型SiC层上；金属层，结合于轻掺杂N型SiC层上表面且与重掺杂P型环区和轻掺杂P型环区抵接，并进行退火处理形成肖特基结；阳极电极，其连接在金属层上；阴极电极，其连接在重掺杂N型SiC衬底背面形成欧姆接触。本申请通过重掺杂P型环区和轻掺杂P型环区的设置，形成PN结，有效提高了二极管的反向击穿电压，并且通过退火处理，有效地提高了肖特基势垒的均匀性，提高了势垒高度，提高了反向耐压值。

主权项：1.一种肖特基二极管，包括壳体9和本体，所述壳体9套设在本体上，其特征在于，所述本体包括：重掺杂N型SiC衬底1；轻掺杂N型SiC层2，其生长在重掺杂N型SiC衬底1上；重掺杂P型环区3，其形成于轻掺杂N型SiC层2上；轻掺杂P型环区4，其形成于重掺杂P型环区3内；介质保护层5，其沉积在轻掺杂N型SiC层2上；金属层6，结合于轻掺杂N型SiC层2上表面且与重掺杂P型环区3和轻掺杂P型环区4抵接，并进行退火处理形成肖特基结；阳极电极7，其连接在金属层6上；阴极电极8，其连接在重掺杂N型SiC衬底1背面形成欧姆接触。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 苏州高新区华成电子有限公司 一种肖特基二极管及其制备方法

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