申请/专利权人：上海华力微电子有限公司

申请日：2021-02-24

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN113034435B

主分类号：G06T7/00

分类号：G06T7/00;H01L21/66

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.12#授权;2021.07.13#实质审查的生效;2021.06.25#公开

摘要：本发明提供了一种缺陷检测方法，首先通过扫描机台扫描获取缺陷位置的第一坐标，然后建立扫描新坐标系，并将缺陷位置的第一坐标转换成第二坐标，接着建立图像新坐标系，图像新坐标系的原点与扫描新坐标系的原点一致，然后建立图像子坐标系，并将缺陷位置的第二坐标转换成第一坐标，最后根据缺陷位置的第一坐标拍摄得到缺陷检测图像，并根据缺陷检测图像来确定获取到的缺陷位置是否真实存在缺陷。可见，本发明通过建立具有统一固定原点的扫描新坐标系和图像新坐标系，以纠正扫描机台和图像机台间的坐标系偏差，以使得图像机台拍摄时可快速准确地找到扫描到的缺陷位置，并及时确定该缺陷位置是否真实存在缺陷，提高检测效率，保证晶圆缺陷。

主权项：1.一种缺陷检测方法，用于对具有小尺寸晶圆进行缺陷检测，其特征在于，所述缺陷检测方法包括：扫描获取缺陷位置的第一坐标，具体包括：将晶圆划分成多个检测单元，每个所述检测单元内具有多个呈矩阵列的晶粒；设定每个所述检测单元以最左下角的所述晶粒的左底角所在位置为所述检测单元内坐标系的坐标原点；扫描晶圆的各个检测单元，获取缺陷位置在对应检测单元内坐标系的第一坐标x，y；建立扫描新坐标系，具体包括：以所述晶圆最左侧作切线，以所述晶圆最底侧作切线，将两条切线的交点作为坐标原点建立扫描新坐标系；将所述缺陷位置的第一坐标在所述扫描新坐标系中转换成第二坐标，具体包括：获取各个所述缺陷位置所在检测单元内坐标系的原点与扫描新坐标中Y轴的距离d1、与X轴的距离d2，即获取各个所述缺陷位置所在检测单元内坐标系的原点与扫描新坐标中Y轴之间存在的晶粒个数a，则d1＝a*w，w为一个晶粒在X轴向的宽度；以及获取各个所述缺陷位置所在检测单元内坐标系的原点与扫描新坐标中X轴之间存在的晶粒个数b，则d2＝b*l，l为一个晶粒在Y轴向的长度；根据所述缺陷位置的第一坐标和d1、d2将所述缺陷位置的第一坐标在扫描新坐标系中转换成第二坐标X，Y，其中，X＝x+d1，Y＝y+d2；根据所述缺陷位置的第二坐标建立图像子坐标系，具体包括：获取所述缺陷位置所在检测单元内坐标系的原点与图像新坐标中Y轴的距离d1、与X轴的距离d2；以d1，d2为坐标原点建立图像子坐标系；建立图像新坐标系，所述图像新坐标系的原点与所述扫描新坐标系的原点一致；根据所述缺陷位置的第二坐标建立图像子坐标系；将所述缺陷位置的第二坐标在所述图像子坐标系中转换成第一坐标；根据所述缺陷位置的第一坐标拍摄得到缺陷检测图像；根据所述缺陷检测图像确定获取到的所述缺陷位置是否真实存在缺陷。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海华力微电子有限公司 一种缺陷检测方法

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