申请/专利权人：美国亚德诺半导体公司

申请日：2021-03-19

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN113494894B

主分类号：G01B11/26

分类号：G01B11/26

优先权：["20200322 US 16/826,257"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.12#授权;2021.10.29#实质审查的生效;2021.10.12#公开

摘要：本公开涉及使用薄金属硅化物阳极的自对准光角度传感器。实施例的各方面针对用于以精确角度光学检测空间中的对象的非接触系统、方法和装置。此方法包括使用自对准肖特基硅化铂PtSiPIN光电二极管夹在中间的本征层的PN二极管设计和制造用于测量角度响应的光电二极管阵列，该二极管可从多个维度的入射光提供线性角度测量。自对准装置被定义为对光掩模层配准不敏感的器件。与更传统的PIN二极管结构相比，该设计消除了法向入射光在“左”和“右”通道之间的器件偏移。

主权项：1.一种无需校准的自对准光角度传感器，包括：基板；设置在所述基板上的阴极；设置在所述阴极上的本征层；左阳极和右阳极，均布置在所述本征层上并被配置为在其中感测光；钝化层，至少部分覆盖所述左阳极和右阳极；和在所述左阳极和所述右阳极附近设置的阻挡件。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 美国亚德诺半导体公司 使用薄金属硅化物阳极的自对准光角度传感器

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