申请/专利权人：合肥工业大学

申请日：2022-09-16

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN115389900B

主分类号：G01R31/26

分类号：G01R31/26;H02H9/04;H02J7/00;H02J7/34

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.12#授权;2022.12.13#实质审查的生效;2022.11.25#公开

摘要：本发明公开了一种基于SiCMOSFET的浪涌电流测试电路及充放电方法，包括：充电电路，浪涌电流产生电路、测量器件电路、放电电路和驱动电路组成，其中，充电电路由一个电压源和薄膜电容组成，进行浪涌测试之前，对薄膜电容进行充电，充电过程由充电电路进行；浪涌电流产生电路由薄膜电容和一个电感L组成，并产生正弦电流，被测器件为SiCMOSFET；驱动电路是对被测器件SiCMOSFET进行开通和关断。

主权项：1.一种基于SiCMOSFET的浪涌电流测试电路，其特征在于，包括：直流电源1、充电电阻R0、两个薄膜电容组、三个二极管、电感L0、三个金属-氧化物半导体场效应晶体管MOSFET、电阻R1～RN5、电感L1～LN4和三个驱动电路；所述直流电源1的正极DC+和负极DC-之间依次串联所述充电电阻R0和两个薄膜电容组，从而构成充电电路；其中，第一薄膜电容组2由N1个薄膜电容并联而成，第二薄膜电容组3由N2个薄膜电容并联而成；所述第一薄膜电容组2与所述二极管D1的正极并联，所述第二薄膜电容组3与所述二极管D2的正极并联，所述二极管D1的负极和二极管D2的负极相连；金属-氧化物半导体场效应晶体管MOSFET1的漏极同时与所述二极管D1的负极和二极管D2的负极之间的节点b、第一薄膜电容组2和第二薄膜电容组3之间的节点a相连；所述金属-氧化物半导体场效应晶体管MOSFET1的源极与所述负极DC-相连；所述金属-氧化物半导体场效应晶体管MOSFET1的门极与第一驱动电路的正极相连；所述第一驱动电路的负极与所述负极DC-相连；所述电感L0的一端分别与所述充电电阻R0和第一薄膜电容组2串联，并由第一薄膜电容组2、第二薄膜电容组3和电感L0构成浪涌电流产生电路；所述电感L0的另一端与金属-氧化物半导体场效应晶体管MOSFET2的漏极相连；由所述金属-氧化物半导体场效应晶体管MOSFET2与金属-氧化物半导体场效应晶体管MOSFET3串联构成半桥电路；其中，所述金属-氧化物半导体场效应晶体管MOSFET2的门极和源极之间串联有第二驱动电路，所述金属-氧化物半导体场效应晶体管MOSFET3的门极和源极之间串联有第三驱动电路；所述金属-氧化物半导体场效应晶体管MOSFET2的源极与金属-氧化物半导体场效应晶体管MOSFET3的源极相连；所述第二驱动电路的负极和第三驱动电路的负极相连；由N3个相互并联且阻值相同的电阻R1～RN5以及与所述电阻R1～RN5并联的MMCX接口RF1组成电流测量电路；所述电流测量电路的一端与所述金属-氧化物半导体场效应晶体管MOSFET3的源极相连；所述电流测量电路的另一端与所述直流电源1接口的负极DC-相连；所述第二驱动电路的负极和第三驱动电路的负极之间的节点c依次与电感L1～LN4、二极管D3串联后与所述直流电源1接口的负极DC-相连；所述金属-氧化物半导体场效应晶体管MOSFET2的漏极与所述电感L1相连，金属-氧化物半导体场效应晶体管MOSFET2的源极和金属-氧化物半导体场效应晶体管MOSFET3的源极相连；由金属-氧化物半导体场效应晶体管MOSFET3、电感L2～LN4、二极管D3、电阻R1～RN5构成串级续流回路。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 合肥工业大学 基于SiC MOSFET的浪涌电流测试电路及充放电方法

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