申请/专利权人：索尼半导体解决方案公司

申请日：2018-09-21

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN111052404B

主分类号：H01L31/107

分类号：H01L31/107

优先权：["20171205 JP 2017-233038"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.12#授权;2020.11.24#实质审查的生效;2020.04.21#公开

摘要：雪崩光电二极管APD传感器包括：光电转换区域，所述光电转换区域被布置在基板中并且将入射到所述基板的第一侧的光转换成电荷；和阴极区域，所述阴极区域被布置在所述基板的第二侧。所述第二侧与所述第一侧相反。所述APD传感器包括：阳极区域，所述阳极区域被布置在所述基板的所述第二侧；第一导电类型的第一区域，所述第一区域被布置在所述基板中；以及第二导电类型的第二区域，所述第二区域被布置在所述基板中。所述第二导电类型与所述第一导电类型不同。在截面图中，所述第一区域和所述第二区域位于所述光电转换区域和所述基板的所述第二侧之间。在所述截面图中，所述第一区域和所述第二区域之间的界面具有不平坦图案。

主权项：1.一种APD传感器，其包括：光电转换区域，所述光电转换区域被布置在基板中并且将入射到所述基板的第一侧的光转换成电荷；阴极区域，所述阴极区域被布置在所述基板的第二侧，所述第二侧与所述第一侧相反；阳极区域，所述阳极区域被布置在所述基板的所述第二侧；第一导电类型的第一区域，所述第一区域被布置在所述基板中；以及第二导电类型的第二区域，所述第二区域被布置在所述基板中，所述第二导电类型与所述第一导电类型不同，其中，在截面图中，所述第一区域和所述第二区域位于所述光电转换区域和所述基板的所述第二侧之间，其中，在所述截面图中，所述第一区域和所述第二区域之间的界面具有不平坦图案，其中，所述第一区域被埋设在所述基板的内部，且没有暴露于所述基板在所述第二侧的表面，并且其中，在所述截面图中，所述不平坦图案是具有多个齿部的梳状图案。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 索尼半导体解决方案公司 雪崩光电二极管传感器和电子装置

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