申请/专利权人：东莞市傲思电子科技有限公司

申请日：2018-04-26

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN108549782B

主分类号：G06F30/392

分类号：G06F30/392;G06F115/12

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.12#授权;2021.05.04#实质审查的生效;2018.09.18#公开

摘要：一种金凸点工艺与电路的设计方法,包括:分离置换的电路，与之契合的结构内，有金凸点连接电路与显示屏、或电路与键盘结构、或电路与电池，或电路与电池、以及显示屏；或电路与电池、以及键盘；相互间电位、地位金凸点连接，实现数据交换。所述的金凸点工艺在契合结构间，形成20nm以下不等的厚度，或不同形态形成相互容入的接触位、限制位实现相互内部结构中的紧固。相互容入的接触位、限制位涉及电路与显示屏；或电路与键盘结构；或电路与电池间的散热层、屏蔽层，以及非布线区域。金凸点涵括非导电凸点，优化EMI；实现EMC的性能指标。实施例，优选电路板6面结构，结合导轨、导槽结构使电路容入契合的结构抽拉分离，以及电永磁体对契合的结构互锁。

主权项：1.一种金凸点工艺与电路的设计方法，设计步骤依次如下：S1.器件选型，器件通过布线布局与EMI电路模拟，数字电路仿真生成前，根据契合结构选定：接触位、限制位；S2.根据EMI的信号干扰源，在EMC设计数值中，选定电池和电路和显示屏结构的局部，或电池和电路和键盘结构的局部，或电池和电路的局部，或电路和显示屏结构的局部，使得电路的非布线区域、散热区、屏蔽区的整体设计与电池和显示屏，或与电池和键盘形成金凸点的工艺紧固结构；S3.通过版图确认，后仿真对电池和电路和显示屏的局部，或对电池和电路和键盘结构的局部，或对电池和电路的局部，或对电路和显示屏结构的局部进行设计，电路的非布线区域、散热区、屏蔽区，与电池和显示屏、或电池和键盘进行整体设计，形成金凸点工艺的紧固结构，通过非导电材料的进一步优化后进行流片生产；S4.后续针对电路流片生产的器件结构进行实物评估，符合EMI优化，在EMC设计数值的规范下形成技术标准，进一步对电路的防老化、结构振动、结构冲击、防疲劳性、防水性、散热性进行优化，实现技术设计性能。

全文数据：一种金凸点工艺与电路的设计方法技术领域[0001]本发明涉及一种金凸点工艺与电路的设计方法。利用不同侧面结构以及上下面的局部空间，将通过不同方向：非连续的金凸点与契入方向的金凸点间，或不同形态的金凸点与契入方向的金凸点间形成相互容入的接触位、限制位，通过相互容入的接触位、限制位距离、金凸点尺寸规格渐进变化实现相互内部结构中的紧固。背景技术[0002]通常金凸点工艺用于柔性基板（以及陶瓷基板，PCB等倒装芯片上，广泛用于制备电子装置的表面接点，例如用于制备液晶显示器的接点，半导体器件中的接点。通常是围绕其共面性，提高凸点的形态均匀性和电接触性能一致性，避免表面粗糙度会对随后进行的半导体芯片倒装焊接产生负面影响，影响半导体器件的可靠性。[0003]但在实践中，尚未有对金凸点工艺，特别是基于非连续性金凸点工艺中，从金凸点相互结构的距离、尺寸规格渐进变化实现相互内部结构中的紧固。发明内容[0004]一种金凸点工艺与电路的设计方法，包括:分离置换的电路，与之契合的结构内，有金凸点连接电路与显示屏、或电路与键盘结构、或电路与电池，或电路与电池、以及显示屏;或电路与电池、以及键盘;相互间电位、地线经金凸点连接，实现数据交换;所述的金凸点工艺在契合结构间，形成20nm以下不等的厚度，通过不同方向：非连续的金凸点1与契入方向的金凸点2间，或不同形态的金凸点与契入方向的金凸点间形成相互容入的接触位3、限制位4，通过相互容入的接触位、限制位距离、尺寸规格渐进变化实现相互内部结构中的紧固。[0005]—种金凸点工艺与电路的设计方法，包括:分离置换的电路，与之契合的结构内，电路与显示屏、或电路与键盘结构、或电路与电池，或电路与电池、以及显示屏;或电路与电池、以及键盘;相互间电位、地线经金凸点连接，实现数据交换；所述的契合的结构内，由导轨或者导槽适配的结构，将电路与显示屏、或电路与键盘结构、或电路与电池，或电路与电池、以及显示屏；或电路与电池、以及键盘合为产品使用整体，导轨或导槽在契合的结构内，通过显示屏与电池、或键盘与电池，形成分离置换的电路植入的推进腔，形成第一道结构紧固；并有通过不同方向：非连续的金凸点1与契入方向的金凸点2间，或不同形态的金凸点与契入方向的金凸点间形成相互容入的接触位3、限制位4，通过相互容入的接触位、限制位距离、尺寸规格渐进变化实现:相互内部结构中的第二道紧固。[0006]—种金凸点工艺与电路的设计方法，包括：电池和显示屏、或电池和键盘;相互间采用凸凹结构面的契合紧固，并在凸凹结构面的契合紧固成型的局部契合推进方向，采取由导轨或者导槽适配的结构，将分离置换的电路与电池和显示屏、或分离置换的电路与电池和键盘合为产品使用整体，导轨或导槽在契合的结构内，通过显示屏与电池、或键盘与电池，形成分离置换的电路植入的推进腔，形成第一道结构紧固；有通过不同方向：非连续的金凸点1与契入方向的金凸点2间，或不同形态的金凸点与契入方向的金凸点间形成相互容入的接触位3、限制位4，通过相互容入的接触位、限制位距离、尺寸规格渐进变化实现:相互内部结构中的第二道紧固；在分离置换的电路与电池和显示屏、或分离置换的电路与电池和键盘合为产品使用整体的契合方向的一局部，在植入口的一侧由分离置换的电路与其契合位的电池、显示屏，或分离置换的电路与电池和键盘相互间的电永磁体互锁。[0007]提供一种关于利用不同侧面结构以及上下面的局部空间，将通过不同方向：非连续的金凸点与契入方向的金凸点间，或不同形态的金凸点与契入方向的金凸点间形成相互容入的接触位、限制位，通过相互容入的接触位、限制位距离、金凸点尺寸规格渐进变化实现相互内部结构中的紧固。有利于模块化硬件技术的实施。从而在维修方面降低使用成本。附图说明[0008]图1是为电路板正负面不同契合方向的金凸点连接方式概要展示；图2是推进腔尾部对已植入分离置换电路与电永磁体互锁的视图。具体实施方式[0009]一种金凸点工艺与电路的设计方法，包括:分离置换的电路，与之契合的结构内，有金凸点连接电路与显示屏、或电路与键盘结构、或电路与电池，或电路与电池、以及显示屏；或电路与电池、以及键盘;相互间电位、地线经金凸点连接，实现数据交换;所述的金凸点工艺在契合结构间，形成20nm以下不等的厚度，通过不同方向：非连续的金凸点1与契入方向的金凸点2间，或不同形态的金凸点与契入方向的金凸点间形成相互容入的接触位3、限制位4,通过相互容入的接触位、限制位距离、尺寸规格渐进变化实现相互内部结构中的紧固。[omo]这种通过不同方向：非连续的金凸点（1与契入方向的金凸点（2间，或不同形态的金凸点与契入方向的金凸点间形成相互容入的接触位3、限制位4，通过相互容入的接触位、限制位距离、尺寸规格渐进变化实现相互内部结构中的紧固设计方法，适用于摄像头、GPS模块、外置镜头、微型外置投影机、喇叭周边产品。[0011]实施例:通常电路板为六面结构，但在现有的工艺仅仅是通过PCB层级的方式考虑布线和芯片的布局优化，忽略了在将分离置换电路设计的同时，利用六面结构中不同侧面结构以及上下面的局部空间，将通过不同方向：非连续的金凸点与契入方向的金凸点间，或不同形态的金凸点与契入方向的金凸点间形成相互容入的接触位、限制位，通过相互容入的接触位、限制位距离、金凸点尺寸规格渐进变化实现相互内部结构中的紧固。参见图1，为电路板正负面不同契合方向的金凸点连接方式概要展示，其非连续的金凸点，在契入方向会缩小契合间距，使电路板的金凸点在相互容入的接触位适应其尺寸规格,直至使电路板的金凸点在限制位金凸点通过不同形态限制分离置换电路推进；考虑到:优化EMI;实现EMC的性能指标，以及PCB间的散热层、屏蔽层，以及非布线区域，与金凸点之间的适配，以及EMI数值优化下的金凸点，涵括非导电凸点。[0012]—种金凸点工艺与电路的设计方法，包括:分离置换的电路，与之契合的结构内，电路与显示屏、或电路与键盘结构、或电路与电池，或电路与电池、以及显示屏;或电路与电池、以及键盘;相互间电位、地线经金凸点连接，实现数据交换；所述的契合的结构内，由导轨或者导槽适配的结构，将电路与显示屏、或电路与键盘结构、或电路与电池，或电路与电池、以及显示屏；或电路与电池、以及键盘合为产品使用整体，导轨或导槽在契合的结构内，通过显示屏与电池、或键盘与电池，形成分离置换的电路植入的推进腔，形成第一道结构紧固；并有通过不同方向：非连续的金凸点1与契入方向的金凸点2间，或不同形态的金凸点与契入方向的金凸点间形成相互容入的接触位3、限制位4，通过相互容入的接触位、限制位距离、尺寸规格渐进变化实现:相互内部结构中的第二道紧固。[0013]实施例：相互容入的接触位、限制位涉及电路与显示屏;或电路与键盘结构;或电路与电池相互间的结构位的金凸点的容入接触位与限制位。实现I〇接口的电位、数据连接。考虑在使用周期的使用频率，金凸点工艺在契合结构间，形成20nm以下不等的厚度，其磨损与使用设计大于5〇〇〇〜10000次的电路分离，以及显示屏损坏的更新，现有的金凸点的材料特性不能完全实现类似的使用周期的使用频率。用导轨或导槽在契合的结构内，通过显示屏与电池、或键盘与电池，形成分离置换的电路植入的推进腔，形成第一道结构紧固，已是实践验证导轨或导槽最大30000次的使用频率完好。故，采取双重紧固，有着现实的技术实践意义。[0014]在实施例中，上下面的柱形金凸点进行地线、电位的契合，还有限制推进位的非导电柱形金凸点的限制；或电路板左右侧与其契合位的电池、显示屏组成盒体结构，有导轨，或导槽通过凸凹的结构接触位，在接触位的一侧，有柱形金凸点进行地线、电位的契合，以及电路的限制位；或上下面结构的电路板与其契合位的电池、显示屏，通过导轨，或导槽组成盒体结构，导轨，或导槽通过凸凹的结构限制分离置换的电路接触位，有在接触位的一侧，有柱形金凸点进行地线、电位的契合，以及柱形金凸点对电路的限制位;形成数据的交换。[0015]一种金凸点工艺与电路的设计方法，包括：电池和显示屏、或电池和键盘;相互间采用凸凹结构面的契合紧固，并在凸凹结构面的契合紧固成型的局部契合推进方向，采取由导轨或者导槽适配的结构，将分离置换的电路与电池和显示屏、或分离置换的电路与电池和键盘合为产品使用整体，导轨或导槽在契合的结构内，通过显示屏与电池、或键盘与电池，形成分离置换的电路植入的推进腔，形成第一道结构紧固；有通过不同方向：非连续的金凸点1与契入方向的金凸点2间，或不同形态的金凸点与契入方向的金凸点间形成相互容入的接触位3、限制位4，通过相互容入的接触位、限制位距离、尺寸规格渐进变化实现:相互内部结构中的第二道紧固；在分离置换的电路与电池和显示屏、或分离置换的电路与电池和键盘合为产品使用整体的契合方向的一局部，在植入口的一侧由分离置换的电路与其契合结构的电池、显示屏，或分离置换的电路与电池和键盘相互间设置有的电永磁体互锁。[0016]实施例，优选电路板6面结构，结合导轨、导槽结构使电路容入契合的结构抽拉分离，在分离置换的电路板结构左右侧与其契合的电池、显示屏组成盒体结构，有导轨，或导槽，在电路板植入电池、显示屏组成盒体结构，在植入口的一侧由电路板与其契合位的电池、显示屏相互间，或分离置换的电路与电池和键盘相互间的电永磁体对契合的结构互锁。[0017]参见图2,类似的技术手段，还可以参照如下：在分离置换的电路板结构左右侧与其契合的电池、显示屏组成盒体结构，有导轨，或导槽，在电路板植入电池、显示屏组成盒体结构，在植入口的一侧由电路板与其契合位的电池、显示屏相互间的电永磁体互锁；分离置换的电路板结构的上下面与其契合位的电池、显示屏组成盒体结构，有导轨，或导槽通过凸凹的结构限制推进位，在植入口的一侧，由电路板与其契合位的电池、显示屏相互间的电永磁体互锁；上下面的柱形金凸点进行地线、电位的契合，还有限制位的电永磁体互锁的限制；左右面的柱形金凸点进行地线、电位的契合，还有限制位的电永磁体互锁的限制；上下面的柱形金凸点进行地线、电位的契合，还有限制位的非导电柱形金凸点的限制；在植入口的一侧，由电路板与其契合位的电池、显示屏相互间的电永磁体互锁；左右面的柱形金凸点进行地线、电位的契合，还有限制位的非导电柱形金凸点的限制；在植入口的一侧，由电路板与其契合位的电池、显示屏相互间的电永磁体互锁；在屏蔽层、散热层、基板的非布线区，参考EMI的优化，与金凸点之间的适配，以及EMI数值优化下的金凸点，涵括非导电凸点。[0018]—种金凸点工艺与电路的设计方法中所述的金凸点，其特征在于涵括非导电凸点，以及PCB间的散热层、屏蔽层，以及非布线区域，与非导电凸点之间优化EMI的适配;实现EMC的性能指标。[0019]—种金凸点工艺与电路的设计方法中所述的由导轨或者导槽适配的结构，其特征在于由导轨或者导槽适配的结构及PCB间的散热层、屏蔽层，以及非布线区域，与分离置换的电路之间优化EMI的适配;实现EMC的性能指标，优选非导电的材质作为导轨或者导槽适配的结构，如塑料，其抽拉分离的使用效率大于5000〜10000次。[0020]—种金凸点工艺与电路的设计方法中所述的电永磁体5，其特征在于分离置换的电路与其契合结构的电池、显示屏，或分离置换的电路与电池和键盘相互间设置的电永磁体，其技术特征在于电永磁体闭合力为30〜50公斤。[0021]—种金凸点工艺与电路的设计方法中所述的金凸点，其特征在于金凸点为接触位3非导电凸点，则限制位4金凸点在分离置换的电路与电池和显示屏、或分离置换的电路与电池和键盘合为产品使用整体，由电池和显不屏、或电池和键盘限制位4金凸点与分离置换的电路契合方向的金凸点实现相互间电位、地线连接，实现数据交换。[0022]—种金凸点工艺与电路的设计方法:依照设计步骤依次如下：S1.器件选型，器件通过布线布局与EMI电路模拟，数字电路前仿真生成，在契合关系位，根据契合机构选定:接触位、限制位、导轨或导槽位；52•根据EMI的信号干扰源，在EMC设计数值中，选定电池、电路、显示屏;或电池、电路、键盘结构的局部，通过电路的非布线区域、散热区、屏蔽区的整体设计，与电池和显示屏;或电池和键盘形成紧固结构的金凸点工艺，以及导轨或导槽契合的推拉分离结构；53•通过版图确认，后设计仿真对电池、电路、显示屏;或电池、电路、键盘结构的局部，通过电路的非布线区域、散热区、屏蔽区的整体设计，与电池和显示屏;或电池和键盘形成紧固结构的金凸点工艺，以及导轨或导槽契合的相应材料，通过非导电材料的进一步优化，流片生产；S、4•后续针对流片生产的器件结构实物评估，符合EMI优化，在EMC设计数值的规范下形成技术标准，进一步对可靠性：防老化，结构振动、结构冲击、防疲劳性、防水性、散热性优化，并在紧固性上选用电永磁体的互锁，实现技术性能的实现。

权利要求：1.一种金凸点工艺与电路的设计方法，包括:分离置换的电路，与之契合的结构内，有金凸点连接电路与显示屏、或电路与键盘结构、或电路与电池，或电路与电池、以及显示屏；或电路与电池、以及键盘;相互间电位、地线经金凸点连接，实现数据交换;所述的金凸点工艺在契合结构间，形成20nm以下不等的厚度，通过不同方向：非连续的金凸点（1与契入方向的金凸点（2间，或不同形态的金凸点与契入方向的金凸点间形成相互容入的接触位3、限制位4，通过相互容入的接触位、限制位距离、尺寸规格渐进变化实现相互内部结构中的紧固；这种通过不同方向：非连续的金凸点（1与契入方向的金凸点（2间，或不同形态的金凸点与契入方向的金凸点间形成相互容入的接触位3、限制位4，通过相互容入的接触位、限制位距离、尺寸规格渐进变化实现相互内部结构中的紧固设计方法，适用于摄像头、GPS模块、外置镜头、微型外置投影机、喇叭周边产品。2.—种金凸点工艺与电路的设计方法，包括:分离置换的电路，与之契合的结构内，电路与显示屏、或电路与键盘结构、或电路与电池，或电路与电池、以及显示屏；或电路与电池、以及键盘;相互间电位、地线经金凸点连接，实现数据交换；所述的契合的结构内，由导轨或者导槽适配的结构，将电路与显示屏、或电路与键盘结构、或电路与电池，或电路与电池、以及显示屏；或电路与电池、以及键盘合为产品使用整体，导轨或导槽在契合的结构内，通过显示屏与电池、或键盘与电池，形成分离置换的电路植入的推进腔，形成第一道结构紧固；并有通过不同方向：非连续的金凸点（1与契入方向的金凸点（2间，或不同形态的金凸点与契入方向的金凸点间形成相互容入的接触位3、限制位4，通过相互容入的接触位、限制位距离、尺寸规格渐进变化实现:相互内部结构中的第二道紧固。3.—种金凸点工艺与电路的设计方法，包括：电池和显示屏、或电池和键盘;相互间采用凸凹结构面的契合紧固，并在凸凹结构面的契合紧固成型的局部契合推进方向，采取由导轨或者导槽适配的结构，将分离置换的电路与电池和显示屏、或分离置换的电路与电池和键盘合为产品使用整体，导轨或导槽在契合的结构内，通过显示屏与电池、或键盘与电池，形成分离置换的电路植入的推进腔，形成第一道结构紧固；有通过不同方向：非连续的金凸点（1与契入方向的金凸点（2间，或不同形态的金凸点与契入方向的金凸点间形成相互容入的接触位3、限制位4，通过相互容入的接触位、限制位距离、尺寸规格渐进变化实现:相互内部结构中的第二道紧固；在分离置换的电路与电池和显示屏、或分离置换的电路与电池和键盘合为产品使用整体的契合方向的一局部，在植入口的一侧由分离置换的电路与其契合结构的电池、显示屏，或分离置换的电路与电池和键盘相互间设置有的电永磁体5互锁。4.根据权利要求1，或2，或3所述的金凸点，其特征在于涵括非导电凸点，以及PCB间的散热层、屏蔽层，以及非布线区域，与非导电凸点之间优化EMI的适配;实现EMC的性能指标。5.根据权利要求2,或3所述的由导轨或者导槽适配的结构，其特征在于由导轨或者导槽适配的结构，以及PCB间的散热层、屏蔽层，以及非布线区域，与分离置换的电路之间优化EMI的适配;实现EMC的性能指标，优选非导电的材质作为导轨或者导槽适配的结构，其抽拉分离的使用效率大于5〇〇〇〜10000次。6.根据权利要求3所述的电永磁体，其特征在于分离置换的电路与其契合位的电池、显示屏，或分离置换的电路与电池和键盘相互间设置有的电永磁体，其技术特征在于电永磁体闭合力为30〜50公斤。7.根据权利要求4所述的金凸点为接触位3非导电凸点，则限制位4金凸点在分离置换的电路与电池和显示屏、或分离置换的电路与电池和键盘合为产品使用整体，由电池和显示屏、或电池和键盘限制位4金凸点与分离置换的电路契合方向的金凸点实现相互间电位、地线连接，实现数据交换。8.—种金凸点工艺与电路的设计方法:依照设计步骤依次如下：S1.器件选型，器件通过布线布局与EMI电路模拟，数字电路前仿真生成，在契合关系位，根据契合机构选定:接触位、限制位、导轨或导槽位；S2•根据EMI的信号干扰源，在EMC设计数值中，选定电池、电路、显示屏；或电池、电路、键盘结构的局部，通过电路的非布线区域、散热区、屏蔽区的整体设计，与电池和显示屏;或电池和键盘形成紧固结构的金凸点工艺，以及导轨或导槽契合的推拉分离结构；S3•通过版图确认，后设计仿真对电池、电路、显示屏;或电池、电路、键盘结构的局部，通过电路的非布线区域、散热区、屏蔽区的整体设计，与电池和显示屏;或电池和键盘形成紧固结构的金凸点工艺，以及导轨或导槽契合的相应材料，通过非导电材料的进一步优化，流片生产；S4•后续针对流片生产的器件结构实物评估，符合!^〗优化，在EMC设计数值的规范下形成技术标准，进一步对可靠性:防老化，结构振动、结构冲击、防疲劳性、防水性、散热性优化，并在紧固性上选用电永磁体的互锁，实现技术性能的实现。

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