申请/专利权人：芯量科技股份有限公司

申请日：2020-08-24

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN114094034B

主分类号：H01M4/04

分类号：H01M4/04;H01M4/38;H01M4/62;H01M4/02;H01M10/0525

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.12#授权;2022.08.02#实质审查的生效;2022.02.25#公开

摘要：一种多层状长循环硅碳负极材料的制造方法，取一纯硅及一第一母胶，该第一母胶的成分为溶剂及分散剂；然后将纯硅与第一母胶混合形成第一混合体再进行研磨形成第一研磨体；然后取一石墨烯及另一第一母胶，将两者混合后进行研磨形成第二研磨体；然后将第一研磨体与第二研磨体混合形成第二混合体，再进行行星式混拌、乳化均质及脱泡行星混拌的程序；然后将纳米碳管及一第二母胶混合后置入一叶片搅拌槽中搅拌，再置入乳化机中搅拌而形成第三混合体；该第二母胶的成分为溶剂及包覆剂；再将经过处理的该第二混合体及该第三混合体进行行星式混拌，形成第四混合体；最后将该第四混合体进行喷雾干燥作业，形成本发明的硅碳复合结构混合体。

主权项：1.一种多层状长循环硅碳负极材料的制造方法，其特征在于，包括下列步骤：步骤A：取一纯硅；步骤B：另外取一第一母胶，该第一母胶的成分为溶剂及分散剂；其中该溶剂的组成成分为乙醇、丙酮及水；该分散剂的组成成分为高分子支撑剂、小分子定锚剂、以及稠化剂，该高分子支撑剂选自PVP或PVA；该小分子定锚剂选自不饱和醚酮类或苯磺酸盐类；该稠化剂选自羧乙基或羧丙基纤维素钠、或聚醣类高分子；步骤C：将10%wt的纯硅与90%wt的第一母胶混合形成第一混合体，再进行研磨，其研磨的方式为将该第一混合体进入一研磨机中研磨，因此形成第一研磨体；步骤D：取一石墨烯；步骤E：另外取第一母胶，将10%wt的石墨烯与90%wt的第一母胶混合后再进入该研磨机中研磨，因此形成第二研磨体；步骤F：将等重量的第一研磨体与第二研磨体混合形成第二混合体，再进行行星式混拌、乳化均质及脱泡行星混拌的程序；步骤G：将纳米碳管及一第二母胶混合，该纳米碳管为阵列式纳米碳管，且该第二母胶的成分为溶剂及包覆剂，其中该溶剂为水，该包覆剂的材料为寡糖类高分子及寡糖酮类；步骤H：将该纳米碳管及该第二母胶的混合体置入一叶片搅拌槽中，该叶片搅拌槽包括叶片，通过该叶片搅拌一预定时间，再置入乳化机中搅拌一预定时间而形成第三混合体；步骤I：将经过步骤F处理的该第二混合体及该第三混合体进行行星式混拌，而形成第四混合体；步骤J：然后将该第四混合体进行喷雾干燥作业，而形成硅碳复合结构混合体；其中以上各成分的数值均做±20%的变动。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 芯量科技股份有限公司 多层状长循环硅碳负极材料的制造方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD