申请/专利权人：上海华力微电子有限公司

申请日：2021-03-30

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN112949241B

主分类号：G06F30/367

分类号：G06F30/367

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.12#授权;2021.07.02#实质审查的生效;2021.06.11#公开

摘要：本发明提供了一种电阻失配模型及提取方法，提取方法包括：设计不同尺寸的电阻失配对，根据电阻器件的尺寸将电阻失配对划分为第一失配对、第二失配对、第三失配对及第四失配对；测量电阻失配对的电阻失配值；建立基本的电阻失配模型；对第一失配对的失配特性进行曲线拟合；拟合好之后，建立引入与电阻器件尺寸相关的修正函数的电阻失配模型；依次对第二失配对、第三失配对及第四失配对的失配特性进行曲线拟合；拟合好之后得到电阻失配模型，并对电阻失配模型进行验证。本发明在原有电阻失配模型的基础上，通过引入与电阻尺寸相关的修正函数，提高了电阻失配模型的拟合精度，使之能更精确地表征不同尺寸下电阻失配对的实际失配特性。

主权项：1.一种电阻失配模型的提取方法，其特征在于，包括：S1、设计不同尺寸的电阻失配对，每个电阻失配对包括两个尺寸相同的电阻器件，根据所述电阻器件的尺寸将所述电阻失配对划分为第一失配对、第二失配对、第三失配对及第四失配对，所述第一失配对中电阻器件的长度大于设定长度阈值且宽度大于设定宽度阈值，所述第二失配对中电阻器件的宽度相同且长度不同，所述第三失配对中电阻器件的长度相同且宽度不同，所述第四失配对中电阻器件的长度小于设定长度阈值且宽度小于设定宽度阈值；S2、测量不同尺寸的电阻失配对的电阻失配值；S3、建立基本的电阻失配模型：Rshmis＝arsh*geo_fac*sigma_mis*mismatch_flag其中，arsh为与电阻器件尺寸相关的修正常数；S4、对所述第一失配对的失配特性进行曲线拟合，若拟合不好，则进入S5，如拟合好，则进入S6；S5、修改大尺寸电阻器件的修正系数，并进入S4；S6、建立引入与所述电阻器件尺寸相关的修正函数的电阻失配模型：Rshmis＝arsh*geo_fac*sigma_mis*mismatch_flaggeo_fac＝1sqrtw*larsh＝arsh0*fw，lfw，l＝powerl，larsh0*powerw，warsh0*powerw*l，parsh0其中，geo_fac为电阻器件的几何因子，w为电阻器件的宽度，l为电阻器件的长度，sigma_mis＝aguass0，1，1为高斯正态分布随机数，mismatch_flag＝0or1，用于控制电阻失配模型失配特性仿真时的打开或关闭；arsh0为大尺寸电阻器件的修正系数；fw，l为与电阻器件尺寸相关的修正函数，larsh0为电阻器件在长度维度上的修正系数、warsh0为电阻器件在宽度维度上的修正系数，parsh0为小尺寸电阻器件的修正系数；S7、依次对所述第二失配对、第三失配对及第四失配对的失配特性进行曲线拟合，若拟合不好，则进入S8，如拟合好，则进入S9；S8、对应修改电阻器件在长度维度上的修正系数、宽度维度上的修正系数或小尺寸电阻器件的修正系数，并进入S7；S9、根据S7得到电阻失配模型，并对所述电阻失配模型进行验证。

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权利要求：

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