申请/专利权人：华东交通大学

申请日：2024-01-26

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN117886358A

主分类号：C01G29/00

分类号：C01G29/00;C01G23/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.03#实质审查的生效;2024.04.16#公开

摘要：本发明公开了一种二维钛基晶格失配层状化合物的制备方法，属于二维材料制备技术领域，包括以下步骤：S1、按照所述的量和比例称量层状三硫化钛晶体和金属单质颗粒，混合后作为原料，单质碘为输运剂；S2、将原料和单质碘一同加入反应容器，于一定压力下真空密封，然后进行高温插层反应；S3、将反应后的产物取出，得到大尺寸插层的二维钛基晶格失配层状化合物。本发明采用上述的一种二维钛基晶格失配层状化合物的制备方法，能够制备出大尺寸插层的二维钛基晶格失配层状化合物，方法简单、高效。

主权项：1.一种二维钛基晶格失配层状化合物的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：S1、按照所述的量和比例称量层状三硫化钛晶体和金属单质颗粒，混合后作为原料，单质碘为输运剂；S2、将原料和单质碘一同加入反应容器，于一定压力下真空密封，然后进行高温插层反应；S3、将反应后的产物取出，得到大尺寸插层的二维钛基晶格失配层状化合物。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华东交通大学 一种二维钛基晶格失配层状化合物的制备方法

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