申请/专利权人：广州市南沙区北科光子感知技术研究院;北京信息科技大学

申请日：2022-10-25

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN115732594B

主分类号：H01L31/18

分类号：H01L31/18;H01L31/0352;H01L31/10

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.12#授权;2023.03.21#实质审查的生效;2023.03.03#公开

摘要：本发明提供了一种优化InAsGaSb红外超晶格的制备方法，包括：对GaSb衬底除气；对GaSb衬底进行脱氧处理；在脱氧处理后的GaSb衬底上，生长GaSb缓冲层；在GaSb缓冲层上，生长InAsGaSb超晶格，其中，InAsGaSb超晶格生长过程按照如下方法控制炉源开关时间：打开Sb炉源的快门6s；同时打开In和Sb炉源的快门0.9s，进行InSb层的生长；关闭Sb炉源快门，同时打开In和As炉源的快门24.2s，进行InAs层的生长；关闭In炉源快门，仅打开As炉源快门6s；同时打开In和Sb炉源快门进行InSb界面层的生长；同时打开Ga和Sb炉源快门，进行GaSb层的外延生长。本发明可有效降低As背景压强扰动对于超晶格生长的影响，精确控制InAs五三比，提高超晶格晶体质量，提高红外探测器件性能。

主权项：1.一种优化InAsGaSb红外超晶格的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：步骤S1、对GaSb衬底除气；步骤S2、对GaSb衬底进行脱氧处理；步骤S3、在脱氧处理后的GaSb衬底上，生长GaSb缓冲层；步骤S4、在GaSb缓冲层上，生长InAsGaSb超晶格，其中，InAsGaSb超晶格生长过程按照如下方法控制炉源开关时间：步骤S41、打开Sb炉源的快门6s；步骤S42、同时打开In和Sb炉源的快门0.9s，进行InSb层的生长；步骤S43、关闭Sb炉源快门，同时打开In和As炉源的快门24.2s，进行InAs层的生长；步骤S44、关闭In炉源快门，仅打开As炉源快门6s；步骤S45、同时打开In和Sb炉源快门进行InSb界面层的生长；步骤S46、同时打开Ga和Sb炉源快门，进行GaSb外延层的外延生长。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 广州市南沙区北科光子感知技术研究院;北京信息科技大学 一种优化InAs/GaSb红外超晶格的制备方法及InAs/GaSb超晶格

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