申请/专利权人：北京信息科技大学

申请日：2023-12-26

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN117779188A

主分类号：C30B25/18

分类号：C30B25/18;C30B25/16;C30B29/68;C30B29/40;H01L31/0352;H01L31/0304;H01L31/18

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.16#实质审查的生效;2024.03.29#公开

摘要：本发明提供了一种在GaSb衬底上外延生长InAsGaSbII类超晶格的方法，包括如下方法步骤：S1、取厚度为500μm的两英寸的GaSb衬底置于分子束外延设备的生长腔；S2、对GaSb衬底升温至300℃进行高温除气，除气时间不少于两小时；S3、对GaSb衬底升温至520℃脱氧，直至GaSb衬底表面形貌点线清晰，保持三分钟；S4、对GaSb衬底降温至440℃，在GaSb衬底上生长厚度为500nm的GaSb缓冲层；S5、对GaSb衬底和GaSb缓冲层降温至420℃，在GaSb缓冲层上生长InAsGaSbII类超晶格；在GaSb缓冲层上生长InAsGaSbII类超晶格的过程中，AsIn束流比为7～11。本发明优化AsIn的束流比，在生长InAsGaSbII类超晶格时提前打开As阀门，解决了由于缺As导致的InAsGaSbII类超晶格表面易形成针状“亮点”缺陷的问题。

主权项：1.一种在GaSb衬底上外延生长InAsGaSbII类超晶格的方法，其特征在于，所述方法包括如下方法步骤：S1、取厚度为500μm的两英寸的GaSb衬底置于分子束外延设备的生长腔；S2、对GaSb衬底升温至300℃进行高温除气，除气时间不少于两小时；S3、对GaSb衬底升温至520℃脱氧，直至GaSb衬底表面形貌点线清晰，保持三分钟；S4、对GaSb衬底降温至440℃，在GaSb衬底上生长厚度为500nm的GaSb缓冲层；S5、对GaSb衬底和GaSb缓冲层降温至420℃，在GaSb缓冲层上生长InAsGaSbII类超晶格；其中，在GaSb缓冲层上生长InAsGaSbII类超晶格的过程中，AsIn束流比为7～11。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京信息科技大学 一种在GaSb衬底上外延生长InAs/GaSb II类超晶格的方法

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