申请/专利权人:合肥天曜新材料科技有限公司
申请日:2023-06-12
公开(公告)日:2023-11-10
公开(公告)号:CN117026360A
主分类号:C30B9/10
分类号:C30B9/10;C30B29/40
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2023.11.28#实质审查的生效;2023.11.10#公开
摘要:本发明提供了一种生长大尺寸低位错密度GaSb单晶的装置和方法,包括将石英安瓿装入炉体中,设置工艺条件:2h升温至275℃,保温30min;2h升温至450℃,保温2h,此时以0.1mmmin的速度缓慢移动加热器,设置结晶区温度380°,多晶区温度380℃,熔融区温度450℃,设置结晶段斜率为3℃mm,以1mmh的速率缓慢移动热场。
主权项:1.根据权利要求1所述的一种生长大尺寸低位错密度GaSb单晶的装置法,其生产工艺步骤在于:1取一支石英坩埚,内壁镀碳,并且在内壁和籽晶腔内附着一层B2O3粉末,将籽晶装入籽晶腔中,将铋装入坩埚中,将GaSb装入坩埚中;2将坩埚装入石英安瓿中,抽真空至1*10^-6pa,用氢氧焰焊接;3将石英安瓿装入炉体中,设置工艺条件:2h升温至275℃,保温30min;2h升温至450℃,保温2h,此时以0.1mmmin的速度缓慢移动加热器,设置结晶区温度380°,多晶区温度380℃,熔融区温度450℃,设置结晶段斜率为3℃mm,以1mmh的速率缓慢移动热场;4将晶体从380℃以0.5℃h的速度缓慢降温至室温;5生长完成后,取出晶体。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 合肥天曜新材料科技有限公司 一种生长大尺寸低位错密度GaSb单晶的装置和方法
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