申请/专利权人：安徽光智科技有限公司

申请日：2023-09-21

公开（公告）日：2023-12-26

公开（公告）号：CN117286501A

主分类号：C23F1/30

分类号：C23F1/30;H01L21/306

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.01.12#实质审查的生效;2023.12.26#公开

摘要：本发明涉及腐蚀技术领域，具体是一种InAsSb芯片上的GaSb衬底腐蚀液及其腐蚀方法和InAsSb芯片。本发明提供的腐蚀液为包括三氧化铬、氟化氢和磷酸三种组分的水溶液：所述三氧化铬的质量浓度为3％～8％；所述氟化氢的质量浓度为0.5％～2.5％；所述磷酸的质量浓度为0％～9％。实验表明，本发明所述腐蚀液对GaSb衬底的腐蚀速率为2.6μmmin～5.88μmmin，所述腐蚀液对GaSb衬底和InAsSb芯片的腐蚀速率选择比为247～490，由此可见本发明提供的腐蚀液能够针对带有GaSb衬底的InAsSb芯片，对所述GaSb衬底进行高选择性腐蚀，而对InAsSb芯片几乎没有影响。

主权项：1.一种InAsSb芯片上的GaSb衬底腐蚀液，其特征在于，其为包括三氧化铬、氟化氢和磷酸三种组分的水溶液：所述三氧化铬的质量浓度为3％～8％；所述氟化氢的质量浓度为0.5％～2.5％；所述磷酸的质量浓度为0％～9％。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 安徽光智科技有限公司 一种InAsSb芯片上的GaSb衬底腐蚀液及其腐蚀方法和InAsSb芯片

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