申请/专利权人：浙江焜腾红外科技有限公司

申请日：2022-12-27

公开（公告）日：2023-06-23

公开（公告）号：CN116314425A

主分类号：H01L31/109

分类号：H01L31/109;H01L31/0304

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.07.11#实质审查的生效;2023.06.23#公开

摘要：本发明公开了一种带势垒层的InAsSb中波红外探测器材料结构，包括有从下往上依次设置的衬底、n型重掺InAsSb下电极层、n型InAsSb吸收层、AlAsSb势垒层以及n型重掺InAsSb上电极层。该结构可以明显降低材料内部的产生‑复合G‑R和肖克莱‑里德‑霍尔SRH暗电流，显著提升探测器的工作温度，改善探测器组件的尺寸、重量、功耗和成本，改善探测器的使用寿命和性能。

主权项：1.一种带势垒层的InAsSb中波红外探测器材料结构，其特征在于，包括有从下往上依次设置的衬底、n型重掺InAsSb下电极层、n型InAsSb吸收层、AlAsSb势垒层以及n型重掺InAsSb上电极层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 浙江焜腾红外科技有限公司 一种带势垒层的InAsSb中波红外探测器材料结构

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD