申请/专利权人:昆明物理研究所
申请日:2022-11-22
公开(公告)日:2023-05-26
公开(公告)号:CN116169193A
主分类号:H01L31/0392
分类号:H01L31/0392;H01L31/0304;H01L31/18;H01L31/0224
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2023.06.13#实质审查的生效;2023.05.26#公开
摘要:本发明涉及一种长波nBn型InAsSb红外探测器材料及其制备方法,属于红外探测器技术领域。所述材料的结构由下向上依次为衬底、GaSb缓冲层、Al1‑xInxSb组分渐变缓冲层、底电极接触层、吸收层、势垒层及顶电极接触层。所述制备方法为分子术外延法。通过设计红外探测器材料的结构,采用非故意掺杂的InAs0.56Sb0.44单晶作为吸收层,禁带宽度较宽的非故意掺杂In0.32Al0.68Sb单晶作为势垒层,掺杂Si的n型InAs0.56Sb0.44单晶作为顶底电极接触层,形成nBn型InAsSb势垒层结构;通过多层材料分子束外延工艺,实现多层膜生长和结构控制,获得所述红外探测器材料,波长可达到8μm~10.6μm。
主权项:1.一种长波nBnInAsSb红外探测器材料,其特征在于:所述材料的结构由下向上依次为衬底、GaSb缓冲层、Al1-xInxSb组分渐变缓冲层、底电极接触层、吸收层、势垒层及顶电极接触层。
全文数据:
权利要求:
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