申请/专利权人：浙江焜腾红外科技有限公司

申请日：2022-12-27

公开（公告）日：2024-03-08

公开（公告）号：CN116344661B

主分类号：H01L31/109

分类号：H01L31/109;H01L31/0304;H01L31/0352

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.08#授权;2023.07.14#实质审查的生效;2023.06.27#公开

摘要：本发明公开了一种高温工作InAs‑InAsSb二类超晶格红外探测器材料结构，从下往上依次包括有n型掺杂InAsInAsSb下电极层、非掺n型InAsInAsSb吸收层、AlAsSb势垒层B以及非掺n型InAsInAsSb上电极层。该结构可以明显降低材料内部的产生‑复合G‑R和肖克莱‑里德‑霍尔SRH暗电流，具有更长的少子寿命。可以使用更简易的MBE快门控制生长方法制备。具有更低的与Ga相关的材料缺陷，可以显著提升探测器的工作温度，改善探测器组件的尺寸、重量、功耗和成本SWaPC，改善探测器的使用寿命和性能。

主权项：1.一种高温工作InAs-InAsSb二类超晶格红外探测器材料结构，其特征在于，从下往上依次包括有n型掺杂InAsInAsSb下电极层、非掺n型InAsInAsSb吸收层、AlAsSb势垒层B以及非掺n型InAsInAsSb上电极层，还包括有依次设置的GaAs衬底、GaAs缓冲层和GaSb缓冲层，GaSb缓冲层与n型掺杂InAsInAsSb下电极层相连，所述GaAs缓冲层的厚度为0.25μm，所述GaSb缓冲层的厚度为1.2μm，所述n型掺杂InAsInAsSb下电极层为InAsInAs0.66Sb0.34，InAsInAs0.66Sb0.34的厚度为所述非掺n型InAsInAsSb吸收层为InAsInAs0.66Sb0.34，InAsInAs0.66Sb0.34的厚度为所述AlAsSb势垒层B为AlAs0.085Sb0.915，其中掺杂有浓度为1E+15cm-3的Be，AlAs0.085Sb0.915的厚度为120nm，所述非掺n型InAsInAsSb上电极层为InAsInAs0.66Sb0.34，InAsInAs0.66Sb0.34的厚度为

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