申请/专利权人：福州大学

申请日：2024-01-08

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117855319A

主分类号：H01L31/109

分类号：H01L31/109;H01L31/0304;H01L31/18;G02F1/01;G02B27/28;G02B5/30

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要：本发明涉及一种提升本征InAsGaAs量子点圆偏振光电流响应的方法，该方法通过测试InAsGaAs量子点的圆偏振光电流随外加偏压的变化趋势，来获得InAsGaAs量子点光电流中圆偏振光电流占所有偏振相关光电流的比例，找出当圆偏振光电流占总的偏振光电流的比值为最大时对应的偏压值，以实现通过施加偏压提升圆偏振光电流响应。该方法调控效果明显，十分简单易行，成本低廉，极大提升了本征InAsGaAs量子点对圆偏振光电流的响应，对于InAsGaAs量子点在量子光学、光通信以及新型光电子器件的设计和应用具有重要的推广应用价值。

主权项：1.一种提升本征InAsGaAs量子点圆偏振光电流响应的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1：用分子束外延技术在001晶面的砷化镓衬底上外延GaAs缓冲层，再外延一层1.9原子层的InAs量子点，再外延GaAs盖层，然后在GaAs盖层上按相同条件外延一层1.9原子层的InAs量子点以便进行量子点形貌表征；将样品切割成正方形，在样品的[110]晶向上制备一对点电极；步骤S2：将样品放置在真空杜瓦瓶里，并采用银丝作为引线分别连接两个电极，将电极引线连接到杜瓦瓶的接线柱上，然后通过杜瓦瓶的接线柱将样品上的两个电极与电压前置放大器的输入端相连；步骤S3：通过搭建的圆偏振光路及测试系统采集样品信息：激光器发出的激光经过衰减片、斩波器、起偏器、四分之一波片和透镜，让光斑照射在样品上两电极连线的中点，使激光以设定入射角入射到样品上，入射面与电极连线垂直；步骤S4：样品在激光照射下产生光电流，通过两个电极进行收集，将样品电极收集的光电流输入前置放大器，再由前置放大器输入锁相放大器；锁相放大器参考频率来自于斩波器，信号进入数据采集卡并由计算机采集；步骤S5：通过步进电机控制四分之一波片旋转，每转过设定值采集一次数据，测试本征InAsGaAs量子点中光电流随四分之一波片转角的变化曲线，采集得到无偏压下的光电流，并通过公式拟合提取出光电流中的圆偏振光电流分量C和线偏振光电流分量L1、L2；步骤S6：通过外加电压源给样品施加偏压，偏压每增加设定值重复一次步骤S5，并记录所提取的C、L1、L2值，计算圆偏振光电流占总的偏振光电流的比值，即C％＝|C||L1|+|L2|+|C|；然后，以偏压为横坐标，以圆偏振光电流占总的偏振光电流的比值为纵坐标，找出当圆偏振光电流占总的偏振光电流的比值为最大时对应的偏压值，以实现通过施加偏压提升圆偏振光电流响应。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 福州大学 一种提升本征InAs/GaAs量子点圆偏振光电流响应的方法

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