申请/专利权人：硅电子股份公司

申请日：2022-07-27

公开（公告）日：2024-04-23

公开（公告）号：CN117917975A

主分类号：B24B1/00

分类号：B24B1/00;B24B7/22;B24B55/02;B24B37/08;B24B7/17;B24D7/06;B24B37/04

优先权：["20210901 EP 21194262.8"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.23#公开

摘要：一种磨削半导体晶圆的方法，其中，在向旋转的半导体晶圆和磨削工具之间的接触区域提供冷却介质时借助包含具有高度h的磨削齿的磨削工具以移除材料的方式加工半导体晶圆，其中，在磨削的每个瞬间，借助一个或多个喷嘴向半导体晶圆的一侧的第一区域施加第一冷却剂流量，且在磨削的每个瞬间，借助一个或多个喷嘴向该半导体晶圆的该一侧的第二区域施加第二冷却剂流量，其特征在于，第一区域以半导体晶圆的右下四分之一圆为界而第二区域以左下四分之一圆为界，并且第一冷却剂流量与第一冷却剂流量和第二冷却剂流量的总和的比值不大于35％且不小于25％。

主权项：1.一种用于磨削半导体晶圆的方法，在向旋转的所述半导体晶圆和磨削工具之间的接触区域输送冷却剂时，借助包含具有高度h的磨削齿的所述磨削工具以移除材料的方式加工所述半导体晶圆20、30，在磨削的每个瞬间，借助一个或多个喷嘴11向所述半导体晶圆的一侧的第一区域施加第一冷却剂流量，以及在磨削的每个瞬间，借助一个或多个喷嘴11向所述半导体晶圆的所述一侧的第二区域施加第二冷却剂流量，其中，所述第一区域22以所述半导体晶圆的右下四分之一圆为界而所述第二区域21以左下四分之一圆为界，以及所述第一冷却剂流量与所述第一冷却剂流量和所述第二冷却剂流量的总和的比值不大于35％且不小于25％。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 硅电子股份公司 磨削半导体晶圆的方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD