申请/专利权人：长春理工大学

申请日：2023-12-29

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117747714A

主分类号：H01L31/18

分类号：H01L31/18;H01L21/02;H01L31/101;H01L31/0352

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本申请提供一种InAs‑InGaAsSbⅡ类超晶格及其制备方法和红外探测器，涉及材料领域。InAs‑InGaAsSbⅡ类超晶格的制备方法，包括：使用MBE方法在晶格匹配的衬底上生长得到亚稳态的InAs‑InGaAsSbⅡ类超晶格，其中生长温度为280‑400℃；将亚稳态的InAs‑InGaAsSbⅡ类超晶格进行退火处理，得到稳态的InAs‑InGaAsSbⅡ类超晶格；退火处理的温度为200‑400℃，温度保持时间为0.5‑2min。本申请提供的InAs‑InGaAsSbⅡ类超晶格的制备方法，可以实现对同生长参数同周期同组分MBE生长条件的超晶格的发光波段进行调控，以满足不同领域的应用需求。

主权项：1.一种InAs-InGaAsSbⅡ类超晶格的制备方法，其特征在于，包括：使用MBE方法在晶格匹配的衬底上生长得到亚稳态的InAs-InGaAsSbⅡ类超晶格，其中生长温度为280-400℃；将所述亚稳态的InAs-InGaAsSbⅡ类超晶格进行退火处理，得到稳态的InAs-InGaAsSbⅡ类超晶格；所述退火处理的温度为200-400℃，温度保持时间为0.5-2min。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长春理工大学 InAs-InGaAsSbⅡ类超晶格及其制备方法和红外探测器

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