申请/专利权人：广州市南沙区北科光子感知技术研究院;北京信息科技大学

申请日：2023-11-22

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117855304A

主分类号：H01L31/0352

分类号：H01L31/0352;H01L31/109;H01L31/18;H01L31/0216

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要：本发明提供了一种InAsGaSb红外探测器，包括GaSb衬底，以及在GaSb衬底上依次生长的GaSb缓冲层、InAsGaSb超晶格下接触层和InAsGaSb超晶格吸收层、InAsGaSb超晶格上接触层和InAs盖层；其中，在InAsGaSb超晶格上接触层和InAsGaSb超晶格吸收层之间插入InAsGaSbAlSbGaSb势垒层。本发明针对InAsGaSb二类超晶格红外探测器暗电流较高的问题，将“M”结构应用于nBn型中波红外探测器的势垒结构，从能带设计角度实现能带的灵活调节，结合新型钝化工艺，有效实现暗电流水平的降低。

主权项：1.一种InAsGaSb红外探测器，其特征在于，所述InAsGaSb红外探测器包括GaSb衬底，以及在所述GaSb衬底上依次生长的GaSb缓冲层、InAsGaSb超晶格下接触层和InAsGaSb超晶格吸收层、InAsGaSb超晶格上接触层和InAs盖层；其中，在所述InAsGaSb超晶格上接触层和InAsGaSb超晶格吸收层之间插入InAsGaSbAlSbGaSb势垒层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 广州市南沙区北科光子感知技术研究院;北京信息科技大学 一种InAs/GaSb红外探测器及其制备方法

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