申请/专利权人：武汉理工大学

申请日：2023-10-24

公开（公告）日：2024-02-20

公开（公告）号：CN117577730A

主分类号：H01L31/18

分类号：H01L31/18;H01L31/0232;H01L31/0216;H01L31/0304;H01L31/08

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.03.08#实质审查的生效;2024.02.20#公开

摘要：本发明提供一种基于SOI平台的InAs波导探测系统及其制备方法，该制备方法包括：首先，对SOI平台中的硅表面分别进行图案化处理，依次形成光栅、光连接组件以及底层Si材料层，光栅通过光连接组件与底层Si材料层连接，其次，采用MOCVD设备在底层Si材料层上外延生长Ge缓冲层，再次，采用固态分子束外延设备在Ge缓冲层上依次生长GaAs缓冲层以及InAs有源层，并在InAs有源层与GaAs缓冲层之间形成界面失配阵列，最后，在InAs有源层上形成电极组件；上述制备方法采用固态分子束外延设备在InAs有源层与GaAs缓冲层之间形成界面失配阵列，以通过位错层技术降低InAs材料在生长初期由于岛状结构合并形成的螺纹位错，从而提高InAs材料的生长质量，进而提升InAs波导探测系统的探测性能。

主权项：1.一种基于SOI平台的InAs波导探测系统的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S10，对SOI平台中的硅表面进行图案化处理，依次形成光栅、光连接组件以及底层Si材料层，所述光栅通过所述光连接组件与所述底层Si材料层连接；S20，采用MOCVD设备在所述底层Si材料层上外延生长Ge缓冲层；S30，采用固态分子束外延设备在所述Ge缓冲层上依次生长GaAs缓冲层以及InAs有源层，并在所述InAs有源层与所述GaAs缓冲层之间形成界面失配阵列；S40，在所述InAs有源层上形成电极组件。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 武汉理工大学 一种基于SOI平台的InAs波导探测系统及其制备方法

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