申请/专利权人:IQE公开有限公司
申请日:2023-08-11
公开(公告)日:2024-04-19
公开(公告)号:CN220822186U
主分类号:H01S5/183
分类号:H01S5/183;H01S5/343;H01S5/02
优先权:["20220811 GB 2211774.1"]
专利状态码:有效-授权
法律状态:2024.04.19#授权
摘要:本公开涉及一种层状结构200、300,包括:衬底110,包括p型半导体材料;在衬底110上的多个半导体层120,包括至少一个p‑on‑n结;以及隧道结层130,在该衬底110和该多个半导体层之间。
主权项:1.一种层状结构,其特征在于,所述层状结构包括:衬底,所述衬底包括p型半导体材料;在所述衬底上的多个半导体层,所述多个半导体层包括至少一个p-on-n结;和隧道结层,所述隧道结层在所述衬底和所述多个半导体层之间。
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