申请/专利权人：株式会社日立高新技术

申请日：2020-02-10

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN113544823B

主分类号：H01L21/3065

分类号：H01L21/3065

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.12#授权;2021.11.09#实质审查的生效;2021.10.22#公开

摘要：提供能使被蚀刻件相对于掩模件的蚀刻选择比提升且能减低掩模图案侧壁的粗糙度的等离子处理方法。对于被蚀刻件使沉积膜选择性地沉积在掩模件的等离子处理方法控制蚀刻参数，使得所述掩模件的培育时间比所述被蚀刻件的培育时间短。

主权项：1.一种等离子处理方法，对于被蚀刻件使沉积膜选择性地沉积在掩模件，所述等离子处理方法的特征在于，控制蚀刻参数，使得所述掩模件的培育时间比所述被蚀刻件的培育时间短，且使用使沉积膜在所述被蚀刻件及所述掩模件上沉积的气体。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 株式会社日立高新技术 等离子处理方法

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