申请/专利权人：三星显示有限公司

申请日：2019-11-29

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN111234822B

主分类号：C09K11/88

分类号：C09K11/88;B82Y20/00;B82Y40/00;H10K59/10

优先权：["20181129 KR 10-2018-0151184"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.12#授权;2021.11.02#实质审查的生效;2020.06.05#公开

摘要：公开了量子点、其制造方法、复合物、装置和纳米晶体的形成方法，所述量子点包括核和设置在核上的壳，其中，核和壳中的一个包括包含锌和硫的第一半导体纳米晶体，并且核和壳中的另一个包括第二半导体纳米晶体，第二半导体纳米晶体具有与第一半导体纳米晶体的组成不同的组成，第一半导体纳米晶体还包括被构造为以卤化物的形式充当路易斯酸的金属和卤素，基于硫的总摩尔数，金属的量大于或等于大约10摩尔百分比mol％，并且基于硫的总摩尔数，卤素的量大于或等于大约10mol％。

主权项：1.一种量子点，所述量子点包括核和设置在所述核上的壳，其中，所述壳包括包含锌和硫的第一半导体纳米晶体，并且所述核包括第二半导体纳米晶体，所述第二半导体纳米晶体具有与所述第一半导体纳米晶体的组成不同的组成，所述第一半导体纳米晶体为硫化锌并且还包括金属和卤素，其中，所述金属包括铝、镓或它们的组合，其中，在所述量子点中，基于硫的总摩尔数，所述金属的量大于或等于10摩尔百分比，其中，在所述量子点中，基于硫的总摩尔数，所述卤素的量大于或等于10摩尔百分比，其中，所述第一半导体纳米晶体不包括硒，其中，所述第二半导体纳米晶体包括InP、InZnP、ZnSe、ZnTeSe、ZnSeS或它们的组合，其中，所述第一半导体纳米晶体通过在所述核或包括所述核的半导体纳米晶体颗粒的存在下使不包括卤素的锌前驱物和硫前驱物在酸碱加合物和卤化锌的存在下反应来形成，并且其中，所述酸碱加合物由路易斯酸金属卤化物和路易斯碱形成，所述路易斯酸金属卤化物包括卤化铝、卤化镓或它们的组合，并且所述路易斯碱包括R3P、R3PO或它们的组合，R为取代或未取代的C1至C40脂肪族烃基、取代或未取代的C6至C40芳香族烃基或者它们的组合。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三星显示有限公司 量子点、其制造方法、复合物、装置和纳米晶体形成方法

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