申请/专利权人：华邦电子股份有限公司

申请日：2021-04-21

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN113674794B

主分类号：G11C29/42

分类号：G11C29/42;G11C16/34

优先权：["20200513 JP 2020-084259"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.12#授权;2021.12.07#实质审查的生效;2021.11.19#公开

摘要：本发明提供一种半导体存储装置以及错误检测纠正相关信息的读出方法，其可输出与在连续读出动作中进行了错误纠正的页相关的各种信息。本发明的NAND型的闪速存储器包括：存储单元阵列；连续读出部件，连续地读出存储单元阵列的页；错误检测纠正相关信息存储部190，针对由连续读出部件连续读出的页，存储由错误检测纠正电路130进行了错误纠正的的页相关的错误检测纠正相关信息；以及输出部件，响应于连续读出动作后的读出命令，输出错误检测纠正相关信息存储部190中所存储的错误检测纠正相关信息。

主权项：1.一种半导体存储装置，包括：与非型的存储单元阵列；连续读出部件，连续地读出所述存储单元阵列的页；存储部件，针对由所述连续读出部件连续读出的页，存储与由错误检测纠正电路进行了错误纠正的页相关的错误检测纠正相关信息；以及输出部件，响应于连续读出动作后的读出命令，输出所述存储部件中所存储的所述错误检测纠正相关信息，所述错误检测纠正相关信息包括进行了错误纠正的所有页的页地址的第一信息、进行了错误纠正的页数的第二信息以及进行了错误纠正的最初页及最后页的各页地址的第三信息中的至少一个。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华邦电子股份有限公司 半导体存储装置以及错误检测纠正相关信息的读出方法

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