申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司

申请日：2019-08-19

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN110837188B

主分类号：G02F1/01

分类号：G02F1/01;G02F1/015

优先权：["20180817 US 62/719,558","20190805 US 16/532,270"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.12#授权;2020.12.11#实质审查的生效;2020.02.25#公开

摘要：在实施例中，一种移相器包括：光输入端，光输出端，p型半导体材料，以及n型半导体材料。所述n型半导体材料沿着边界区域接触所述p型半导体材料，其中所述边界区域大于从所述光输入端到所述光输出端的长度乘以所述移相器的芯体宽度。

主权项：1.一种移相器，包括：光输入端；光输出端；p型半导体材料；以及n型半导体材料，沿着边界区域接触所述p型半导体材料，其中所述边界区域大于从所述光输入端到所述光输出端的长度乘以所述移相器的芯体宽度，其中当从所述光输入端延伸到所述光输出端的纵向剖视图观察时，所述边界区域形成多角星。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 移相器、调制器以及光束调制方法

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