申请/专利权人：南京大学

申请日：2020-12-03

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN112530989B

主分类号：H10K19/10

分类号：H10K19/10;H10K77/10;H10K10/46;H10K71/00;A61B5/30;A61B5/308;A61B5/318

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.12#授权;2021.04.06#实质审查的生效;2021.03.19#公开

摘要：本发明公开一种超高增益有机放大器及其制备方法。该超高增益有机放大器由一个驱动晶体管和一个负载晶体管串联构成，其中负载晶体管的栅极与源极短接；驱动晶体管和负载晶体管的栅极介电层为铁电性氧化物薄膜，半导体沟道层为有机分子薄膜。其制备方法包括：在衬底上制备局域栅极金属层；在局域栅极金属层表面生长铁电性氧化物薄膜作为介电层；制备半导体层和电极层。该超高增益有机放大器可以在3V工作电压下实现超过10000的电压增益，1V工作电压下实现4000的增益，同时，可以实现电池供电。该超高增益的有机放大器亦可在柔性衬底上实现。另外，该有机放大器可用于各类微小信号的检测和放大。

主权项：1.一种低工作电压下实现电压增益超104的有机放大器，其特征在于，该有机放大器由一个驱动晶体管和一个负载晶体管串联构成，其中负载晶体管的栅极与源极短接；所述驱动晶体管和负载晶体管的栅极介电层包括铪锆氧薄膜和生长在铪锆氧薄膜表面、用作电容匹配的氧化铝薄膜，半导体沟道层为单层2,9-二癸基二萘酚[2,3-b:2'，3'-f]噻吩[3,2-b]噻吩分子薄膜，该分子薄膜由溶液半月形剪切法生长得到。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 南京大学 一种超高增益有机放大器及其制备方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD