申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司

申请日：2021-03-23

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN113078090B

主分类号：H01L21/68

分类号：H01L21/68;H01L21/60;H01L21/67

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.12#授权;2021.07.23#实质审查的生效;2021.07.06#公开

摘要：本申请提供了晶圆制备方法、键合方法、键合装置、键合设备。其中，晶圆制备方法通过在衬底上依次形成覆盖衬底的功能层、覆盖功能层的连接层、及覆盖连接层的互联层，连接层与功能层通过将第二标识正对应第一标识进行对准，互联层与连接层通过将第四标识正对应第三标识进行对准，以使功能层、连接层、互联层相互对准。因此，该晶圆可以直接通过互联层上的第五标识正对应其他晶圆的对准标识，使得该晶圆直接对准其他晶圆，有利于减小不同晶圆的形变差异导致的对准偏差，提高了不同晶圆间的对准精度，从而提供了一种晶圆键合方法、键合装置、键合设备。

主权项：1.一种晶圆制备方法，其特征在于，包括：提供第二晶圆；获取所述第二晶圆的总变形量；提供第一衬底；形成覆盖所述第一衬底的第一功能层，所述第一功能层具有第一标识；获取所述第一功能层的第一变形量；形成覆盖所述第一功能层的第一连接层，所述第一连接层具有间隔设置的第二标识与第三标识，所述第二标识正对应所述第一标识；获取所述第一连接层的第二变形量；以及根据所述第二晶圆的总变形量、所述第一变形量、及所述第二变形量，形成具有第三变形量且覆盖所述第一连接层的第一互联层以形成第一晶圆，以使所述第一变形量、所述第二变形量、及所述第三变形量适配所述第二晶圆的总变形量，所述第一互联层具有间隔设置的第四标识与第五标识，所述第四标识正对应所述第三标识；所述第一晶圆可以通过所述第五标识与所述第二晶圆进行对准。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长江存储科技有限责任公司 晶圆制备方法、键合方法、键合装置、键合设备

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