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【发明授权】一种抗高过载惯性传感器_苏州亿波达微系统技术有限公司_202410073466.8 

申请/专利权人:苏州亿波达微系统技术有限公司

申请日:2024-01-18

公开(公告)日:2024-04-12

公开(公告)号:CN117589164B

主分类号:G01C21/16

分类号:G01C21/16;B81B7/00;B81B7/02;G01C19/00;G01P15/02

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.04.12#授权;2024.03.12#实质审查的生效;2024.02.23#公开

摘要:本发明涉及一种抗高过载惯性传感器,包括:基板;可移动质量块,悬挂于基板;弹性结构,对称设于可移动质量块的两侧,弹性结构的一端与可移动质量块固定连接,弹性结构的另一端与基板固定连接;缓冲结构,对称设置于可移动质量块,缓冲结构远离可移动质量块的一端与基板固定连接,用于使可移动质量块的边缘与基板柔性接触。通过设计柔性结构,并在柔性结构上设计小凸起,该柔性结构既可以单独作为抗高过载的结构也可以作为其它功能性能结构,由于小凸起的尺寸远小于柔性结构尺寸,因此可以在不损失MEMS惯性传感器芯片性能的前提下,提高MEMS惯性传感器芯片的抗高过载的能力,从而提高传感器的可靠性。

主权项:1.一种抗高过载惯性传感器,其特征在于,包括:基板1;可移动质量块2,悬挂于所述基板1;弹性结构3,对称设于所述可移动质量块2的两侧,所述弹性结构3的一端与所述可移动质量块2固定连接,所述弹性结构3的另一端与所述基板1固定连接;缓冲结构4,对称设置于所述可移动质量块2,所述缓冲结构4远离所述可移动质量块2的一端与所述基板1固定连接,用于使所述可移动质量块2的边缘与所述基板1柔性接触;所述缓冲结构4内形成有缓冲空间,所述缓冲结构4包括缓冲凸起,所述缓冲凸起与可移动质量块2固定连接,且所述缓冲凸起位于所述缓冲空间内,用于抵抗所述可移动质量块2过载对所述基板1所带来的冲击;所述缓冲结构4还包括:第一缓冲件41,固定连接于所述基板1;所述第一缓冲件41包括:沿第一方向相对设置的第一柔性缓冲杆411,至少两个所述第一柔性缓冲杆411与所述可移动质量块2平行,所述第一柔性缓冲杆411的一端与基板1固定连接;沿第二方向相对设置的第二柔性缓冲杆413,至少两个所述第二柔性缓冲杆413与所述可移动质量块2平行,所述第二柔性缓冲杆413的一端与基板1固定连接,所述第一方向与所述第二方向垂直;所述缓冲空间包括:第一缓冲空间412和第二缓冲空间414,所述第一缓冲空间412设置于两个所述第一柔性缓冲杆411之间,所述二缓冲空间414设置于两个所述第二柔性缓冲杆413之间;第二缓冲件42,固定连接于所述可移动质量块2的边缘,所述第一缓冲件41与所述第二缓冲件42配合使用。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 苏州亿波达微系统技术有限公司 一种抗高过载惯性传感器

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