申请/专利权人：北京物芯科技有限责任公司

申请日：2020-12-17

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN112668260B

主分类号：G06F30/32

分类号：G06F30/32

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.12#授权;2021.05.04#实质审查的生效;2021.04.16#公开

摘要：本发明实施例公开了一种芯片SRAM拼接方法、装置、电子设备和存储介质，方法包括：获取SRAM拼接的性能参数列表，其中，性能参数列表中包含每个目标SRAM的第一属性信息以及与每个目标SRAM所对应的待拼接子SRAM的第二属性信息；根据性能参数列表确定每个目标SRAM的拼接方式，其中，拼接方式包括深度拼接、宽度拼接以及深度和宽度拼接；按照拼接方式对待拼接子SRAM进行拼接获得每个目标SRAM。通过提前获取SRAM拼接的性能参数列表，并根据性能参数列表可以同时对多个目标SRAM进行自动拼接，而无需用户针对每个需求指令分别编写相应的代码以实现拼接，从而减少了用户的工作量，由于采用自动拼接因此相应的减少了芯片设计的风险。

主权项：1.一种芯片静态随机存储器SRAM拼接方法，其特征在于，包括：获取SRAM拼接的性能参数列表，其中，所述性能参数列表中包含每个目标SRAM的第一属性信息以及与每个目标SRAM所对应的待拼接子SRAM的第二属性信息；所述第一属性信息包括：类型、深度和宽度；所述第二属性信息包括：校验方式、名称和数量；根据所述性能参数列表确定每个目标SRAM的拼接方式，其中，所述拼接方式包括深度拼接、宽度拼接以及深度和宽度拼接；按照所述拼接方式对所述待拼接子SRAM进行拼接获得每个目标SRAM；所述根据所述性能参数列表确定每个目标SRAM的拼接方式之前，还包括：通过预设脚本对所述性能参数列表中的名称和数量进行解析获得待拼接子SRAM所对应的生成代码；通过执行所述生成代码生成与每个目标SRAM所对应的待拼接子SRAM；根据所述校验方式对所述待拼接子SRAM进行校验，并确定校验通过；所述根据所述性能参数列表确定每个目标SRAM的拼接方式，包括：通过对所述目标SRAM所对应的待拼接子SRAM名称解析确定所述每个目标SRAM的拼接方式。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京物芯科技有限责任公司 一种芯片SRAM拼接方法、装置、电子设备和存储介质

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