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【发明授权】一种耐高温缺陷型Y(YxTa1-x)O4-x氧障/热障陶瓷一体化材料及其制备方法_昆明理工大学_202211020994.4 

申请/专利权人:昆明理工大学

申请日:2022-08-24

公开(公告)日:2024-04-12

公开(公告)号:CN116120062B

主分类号:C04B35/495

分类号:C04B35/495;C04B35/622;C04B35/626;C04B35/63;C04B35/64

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.04.12#授权;2023.08.11#著录事项变更;2023.06.02#实质审查的生效;2023.05.16#公开

摘要:本专利申请公开了一种耐高温缺陷型YYxTa1‑xO4‑x氧障热障陶瓷一体化材料及其制备方法,原料包括合成料氧化钇Y2O3、五氧化二钽Ta2O5,合成料氧化钇Y2O3和五氧化二钽Ta2O5的摩尔比为1:1,利用固相法合成YTaO4粉体;所述掺杂剂氧化钇Y2O3用于掺杂在YTaO4粉体中,经球磨、烘干及过筛后,利用放电等离子烧结获得耐高温缺陷型YYxTa1‑xO4‑x氧障热障陶瓷一体化材料,其中x的范围为0.03~0.15。该材料具有较低的热导率,优异的高温断裂韧性,同时还具有优异的氧障性能,即能阻碍氧离子的扩散,避免TGO的生长,延长涂层的使用寿命。

主权项:1.一种耐高温缺陷型YYxTa1-xO4-x氧障热障陶瓷一体化材料,其特征在于:原料包括合成料氧化钇Y2O3、五氧化二钽Ta2O5,合成料氧化钇Y2O3和五氧化二钽Ta2O5的摩尔比为1:1,利用固相法合成YTaO4粉体;掺杂剂氧化钇Y2O3用于掺杂在YTaO4粉体中,经球磨、烘干及过筛后,利用放电等离子烧结获得耐高温缺陷型YYxTa1-xO4-x氧障热障陶瓷一体化材料,其中x的范围为0.03-0.15;所述合成料氧化钇Y2O3和五氧化二钽Ta2O5的纯度≥99.99%,粒径为10~50µm;采用以下步骤的方法制备:(1)按比例称取合成料氧化钇Y2O3、五氧化二钽Ta2O5,以无水乙醇为介质,在球磨机中球磨均匀后,将其干燥、过筛;(2)在1500~1700℃下煅烧10~15h,升温速率为5~10℃分钟,煅烧结束后冷却,待温度降至室温取出粉体,获得YTaO4粉体;(3)称取掺杂剂氧化钇Y2O3,再次利用球磨机将YTaO4粉体和掺杂剂氧化钇Y2O3球磨成浆料,烘干后进行粒径筛分;(4)利用放电等离子烧结设备烧结成陶瓷块体,烧结温度为1500~1700℃,保温5~20min,升温速率为50~100℃min,将烧结好的陶瓷块体低温退火,再经过高温退火;低温退火时温度为600~900℃,升温速率为2~5℃min,保温120~600min,高温退火的温度为1500~1700℃,升温速率为5~10℃min,保温120~600min。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 昆明理工大学 一种耐高温缺陷型Y(YxTa1-x)O4-x氧障/热障陶瓷一体化材料及其制备方法

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