申请/专利权人：浙江前沿半导体材料有限公司

申请日：2023-09-11

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN220761002U

主分类号：B22F3/04

分类号：B22F3/04;B22F3/10;C22C1/04;C22C27/04

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.12#授权

摘要：本实用新型涉及钼铜材料制备技术领域，且公开了一种纳米级钼铜材料制备装置，包括烧结炉、炉盖和挡板，烧结炉侧壁顶端固定安装有固定板，固定板上表面对称固定连接有一对弧形板，弧形板之间转动安装有转柱，炉盖的侧壁上固定连接有连板，连板活动安装在转柱上，烧结炉内部设置有加热箱，加热箱固定安装在若干块固定板之间，固定板固定连接在烧结炉的内壁上，挡板滑动设置在加热箱内部。本实用新型通过挡板的设置，挡板的侧壁与加热箱内壁贴合，坩埚二的侧壁与圆槽内壁贴合，防止了铜蒸汽扩散，落在压坯表面的情况，保证了钼铜材料的质量。

主权项：1.一种纳米级钼铜材料制备装置，包括烧结炉1和炉盖2，所述烧结炉1下表面固定安装有底座101，所述烧结炉1侧壁上对称固定连接有两个连接柱一102，所述烧结炉1侧壁顶端固定安固定板1201，固定板1201上表面对称固定连接有一对弧形板111，所述弧形板111之间转动安装有转柱112，所述连接柱一102和固定板1201分别与烧结炉1中轴线之间垂直连线的夹角为90°，所述炉盖2的侧壁上固定连接有连板201，所述连板201转活动安装在转柱112上，所述烧结炉1内部设置有加热箱12，所述加热箱12固定安装在若干个固定板1201之间，所述固定板1201固定连接在烧结炉1的内壁上，其特征在于：挡板3，所述挡板3滑动设置在加热箱12内部。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 浙江前沿半导体材料有限公司 一种纳米级钼铜材料制备装置

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