申请/专利权人：成都泰格微电子研究所有限责任公司

申请日：2023-09-04

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN220774351U

主分类号：H01L23/373

分类号：H01L23/373;H01L23/10

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.12#授权

摘要：本实用新型涉及一种高集成度的大功率SIP封装结构，它包括陶瓷本体以及贯穿陶瓷本体的金属热沉，在陶瓷本体的上表面设置有第一金属围框，第一金属围框之间形成第一腔室和第二腔室；在陶瓷本体的下表面设置有向陶瓷本体内部凹陷的第三腔室，在第三腔室的四周设置有第二金属围框；在第一腔室上设置有密封的第一金属盖板，在第二腔室上设置有密封的第二金属盖板，在第三腔室上设置有密封的第三金属盖板。本实用新型通过SIP内部正面反面分隔成不同腔室，实现3D封装，在电路高密度集成的同时实现相互隔离，保证电路良好性能，在陶瓷体中嵌入与芯片热膨胀系数相近的金属热沉，一体化设计制造，提高封装模块散热能力。

主权项：1.一种高集成度的大功率SIP封装结构，其特征在于：它包括陶瓷本体（1）以及贯穿陶瓷本体（1）的金属热沉（2），在陶瓷本体（1）的上表面设置有第一金属围框（3），第一金属围框（3）之间形成第一腔室（9）和第二腔室（10）；在陶瓷本体（1）的下表面设置有向陶瓷本体（1）内部凹陷的第三腔室（11），且在第三腔室（11）的四周设置有第二金属围框（4）；在所述第一腔室（9）上设置有密封的第一金属盖板（5），在所述第二腔室（10）上设置有密封的第二金属盖板（6），在所述第三腔室（11）上设置有密封的第三金属盖板（7）；在所述陶瓷本体（1）的下表面设置有对外连接的金属化焊盘（8）。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 成都泰格微电子研究所有限责任公司 一种高集成度的大功率SIP封装结构

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