申请/专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所

申请日：2023-08-15

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN220753414U

主分类号：H01L23/373

分类号：H01L23/373;H01L23/367

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权

摘要：本实用新型涉及SiP技术领域，特别涉及一种基于石墨烯膜传热特性改善SiP芯片的散热结构。包括基板，所述基板上布设有若干裸芯，所述若干裸芯的顶部设有散热板，且所述散热板与所述若干裸芯之间还包括填充的石墨烯膜层。通过RDL重布线技术将集成在SiP中需要散热的裸芯保持同一个高度。本实用新型通过RDL重布线技术将裸芯保持在同一高度，将石墨烯膜填充在散热板与裸芯之间进行传导散热，利用石墨烯的特性来改善SiP芯片的散热问题。

主权项：1.一种基于石墨烯膜传热特性改善SiP芯片的散热结构，包括基板1，其特征在于，所述基板1上布设有若干裸芯2，所述若干裸芯2的顶部设有散热板3，且所述散热板3与所述若干裸芯2之间还包括填充的石墨烯膜层4；通过RDL重布线技术将集成在SiP中需要散热的裸芯2保持同一个高度；所述若干裸芯2周边采用molding胶5进行填充，使其顶部形成一个矩形平面；在所述矩形平面与所述散热板3之间覆盖有所述石墨烯膜层4。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国电子科技集团公司第五十八研究所 一种基于石墨烯膜传热特性改善SiP芯片的散热结构

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