申请/专利权人：美光科技公司

申请日：2018-10-17

公开（公告）日：2024-04-23

公开（公告）号：CN112823477B

主分类号：H03L7/00

分类号：H03L7/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.23#授权;2021.06.04#实质审查的生效;2021.05.18#公开

摘要：本发明提供用于半导体装置的温度独立电阻性‑电容性延迟电路的方法和设备。举例来说，可实施与RAS链的ZQ校准或时序相关联的延迟，以包含展现与绝对温度成比例PTAT特性和与绝对温度互补CTAT特性的电路，以便跨越操作温度范围控制延迟时间。所述RC延迟电路可包含具有PTAT特性的具有的第一类型的电路，所述第一类型的电路与具有CTAT特性的阻抗的第二类型的电路并联耦合到输出节点。在一些实施例中，所述第一类型的电路可包含电阻器且所述第二类型的电路可包含晶体管。

主权项：1.一种设备，其包括：振荡器电路，其经配置以提供振荡器信号，所述振荡器信号具有基于所述振荡器电路的延迟元件的电阻性-电容性RC延迟的延迟，其中所述延迟元件包含具有输出节点的反相器，其中所述延迟元件还包含具有与绝对温度成比例PTAT的阻抗的第一电路，所述第一电路与具有与绝对温度互补CTAT的阻抗的第二电路并联耦合到所述输出节点。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 美光科技公司 用于温度独立的延迟电路的方法和设备

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