申请/专利权人：河北大学

申请日：2024-02-18

公开（公告）日：2024-04-23

公开（公告）号：CN117727815B

主分类号：H01L31/0236

分类号：H01L31/0236;H01L31/068;H01L31/18;B82Y15/00;B82Y30/00;B82Y35/00;C23C14/06;C23C14/22

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.23#授权;2024.04.05#实质审查的生效;2024.03.19#公开

摘要：本发明提供了一种自陷光结构硒化锑太阳电池及其制备方法。该自陷光结构硒化锑太阳电池中的硒化锑吸收层由底层致密的薄膜和顶层纳米棒阵列组成。本发明方法为应用真空沉积方法在背电极上制备自陷光结构硒化锑吸收层，使硒化锑底部形成致密的薄膜，表面形成纳米棒阵列，然后再制备缓冲层、窗口层、顶电极。自陷光结构硒化锑吸收层不仅改善了硒化锑的形貌，使太阳光在该结构中进行充分的反射和漫反射，极大地增加光程，实现表面高减反特性，太阳电池在宽波段300nm‑1100nm内的反射率大幅降低；而且增强了硒化锑的光吸收能力，产生了更多的光生载流子，提高了太阳电池的短路电流和转换效率，实现了高效硒化锑薄膜太阳电池的制备。

主权项：1.一种自陷光结构硒化锑太阳电池的制备方法，其特征是，包括如下步骤：（1）清洗衬底；（2）制备背电极；（3）制备硒化锑吸收层：采用射流气相沉积技术在背电极上制备硒化锑薄膜，接着采用射流气相沉积技术在硒化锑薄膜上制备硒化锑纳米棒，硒化锑薄膜和硒化锑纳米棒组成硒化锑吸收层；制备硒化锑薄膜时工艺参数为：衬底温度为380℃~480℃，源温度为480℃~540℃，运行速度为4mms；制备硒化锑纳米棒时工艺参数为：衬底温度为380℃~480℃，源温度为480℃~540℃，运行速度为0.5mms；（4）制备缓冲层；（5）制备窗口层；（6）制备顶电极。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 河北大学 一种自陷光结构硒化锑太阳电池及其制备方法

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