申请/专利权人：宁夏中晶半导体材料有限公司

申请日：2022-05-30

公开（公告）日：2024-04-23

公开（公告）号：CN115058767B

主分类号：C30B15/04

分类号：C30B15/04;C30B29/06;C30B30/04

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.23#授权;2022.10.04#实质审查的生效;2022.09.16#公开

摘要：本发明公开了一种用于MCZ法拉制重掺锑单晶的加掺方法和装置，该方法包括以下步骤：事先在连杆的底部分别套设上单晶硅片和下单晶硅片，限位凸起对下单晶硅片和上单晶硅片的底部进行支撑，在将钟罩套设在连杆上，上单晶硅片和下单晶硅片对钟罩的底部进行封闭，使锑金属原料能够储存在储存腔的内腔，单晶硅在坩埚内部融化后，根据单晶硅液的量，来对需要添加的锑金属重量进行计算。本发明具备便于加料进行掺杂的优点，解决了目前的锑单晶加掺方法在伞盖上部铺设金属小料来进行加掺，但是籽晶在坩埚内生长为伞盖状耗时较长，生长过程中容易产生埚内结晶现象，伞盖太小无法完全盛放掺杂金属的问题。

主权项：1.一种用于MCZ法拉制重掺锑单晶的加掺方法，其特征在于：包括以下步骤：1事先在连杆2的底部分别套设上单晶硅片5和下单晶硅片4，限位凸起6对下单晶硅片4和上单晶硅片5的底部进行支撑，在将钟罩1套设在连杆2上，上单晶硅片5和下单晶硅片4对钟罩1的底部进行封闭，使锑金属原料能够储存在储存腔7的内腔，单晶硅在坩埚内部融化后，根据单晶硅液的量，来对需要添加的锑金属重量进行计算；2计算好后对锑金属进行称量，将称量好的锑金属加入到漏斗3内，锑金属颗粒通过加料腔8进入到钟罩1内部的储存腔7内进行储存，把连杆2的顶部安装在吊装设备上，吊装设备通过连杆2将上单晶硅片5和下单晶硅片4放入到单晶炉内的硅液中，放入的过程中钟罩1受热辐射的影响，使储存腔7内部的锑金属提前熔化；3下单晶硅片4和上单晶硅片5进入到硅液内部后熔化与硅液混合，使液态的锑金属进入到硅液的内部，对硅液进行掺杂，储存腔7内部锑金属的挥发分通过加料腔8排出，进入到单晶炉内部，防止储存腔7的内部堆积挥发分，硅液掺杂后使用MCZ法进行拉制生产锑晶棒；所述锑金属原料为1-3mm的圆球。

全文数据：

权利要求：

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