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【发明公布】基于同步光源的EUV掩模缺陷检测和分析一体化系统_中国科学院上海高等研究院_202311795945.2 

申请/专利权人:中国科学院上海高等研究院

申请日:2023-12-25

公开(公告)日:2024-04-16

公开(公告)号:CN117890382A

主分类号:G01N21/892

分类号:G01N21/892;H01L21/66;H01L21/67;G01N21/88;G01N21/01

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.05.03#实质审查的生效;2024.04.16#公开

摘要:本发明提供一种基于同步光源的EUV掩模缺陷检测和分析一体化系统,包括光束线传输系统、狭缝系统、照明系统、掩模运动系统和实验平台,实验平台包括检测系统和成像分析系统,掩模运动系统用于承载待测的EUV掩模版并能够进行扫描调节;掩模运动系统、检测系统和成像分析系统均与定位系统连接;检测系统直接采集反射信号,通过暗场关联谱技术快速确定可疑缺陷位置;成像分析系统采用离轴波带片将光投射到成像分析探测器上进行成像,对可疑缺陷位置进行成像扫描。本发明一体化系统可对标准EUV掩模版的可疑缺陷进行快速定位和精确获取缺陷的类型、形貌、大小和位置等信息。实现对掩模版中缺陷进行精确的修正处理,满足光刻母版的需要。

主权项:1.一种基于同步光源的EUV掩模缺陷检测和分析一体化系统,其特征在于,包括沿光路的走向依次排布的光束线传输系统、狭缝系统、照明系统、掩模运动系统和实验平台,所述实验平台包括彼此可切换的检测系统和成像分析系统,所述掩模运动系统用于承载待测的EUV掩模版并能够进行扫描调节;所述掩模运动系统、检测系统和成像分析系统均与一个定位系统连接;所述检测系统设置为在切换到缺陷快速检测模式时,通过检测系统探测器直接采集EUV掩模版的反射信号,根据所述反射信号通过暗场关联谱技术快速确定可疑缺陷位置;所述成像分析系统设置为在切换到高分辨成像分析模式时,采用离轴波带片把EUV掩模版的反射光放大后投射到成像分析探测器上进行成像,对可疑缺陷位置进行成像扫描,得到高分辨成像结果;所述定位系统设置为确定EUV掩模版的姿态,以实时调整EUV掩模版的姿态,同时使得成像分析系统能够将EUV掩模版定位至检测系统确定的缺陷可疑位置。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 中国科学院上海高等研究院 基于同步光源的EUV掩模缺陷检测和分析一体化系统

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