申请/专利权人：杭州富芯半导体有限公司

申请日：2023-12-29

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN117894656A

主分类号：H01J37/141

分类号：H01J37/141;H01J37/147;H01J37/08

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.03#实质审查的生效;2024.04.16#公开

摘要：本公开提供了一种修整装置及修整方法，修整装置包括离子束源、引出组件及修整组件，离子束源用于产生离子束，引出组件与离子束源沿第一方向间隔设置，引出组件形成有加载有电压的狭缝，狭缝所加载的电压的电性与离子束的电性相反，以吸引离子束脱离于离子束源并穿过狭缝，修整组件设置于离子束源及引出组件之间，修整组件用于产生可调节强度的磁场来修整离子束的形状及传输路径；如此，先通过引出组件将离子束从离子束源内引出，再通过修整组件改变自身的磁场强度来调节离子束的形状及传输路径，以使离子束的形状及截面积收拢至接近狭缝的形状及截面积，并使离子束沿着狭缝在第一方向上的延伸路径传输。

主权项：1.一种修整装置，用于修整离子束的形状及传输路径，其特征在于，所述修整装置包括：离子束源，用于产生所述离子束；引出组件，与所述离子束源沿第一方向间隔设置，所述引出组件形成有加载有电压的狭缝，所述狭缝所加载的电压的电性与所述离子束的电性相反，以吸引所述离子束脱离于所述离子束源并穿过所述狭缝；修整组件，设置于所述离子束源及所述引出组件之间，所述修整组件用于产生可调节强度的磁场来修整所述离子束的形状及传输路径，以降低所述离子束穿过所述狭缝时的损耗。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 杭州富芯半导体有限公司 一种修整装置及修整方法

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