申请/专利权人：恩智浦有限公司

申请日：2023-10-13

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN117894742A

主分类号：H01L21/762

分类号：H01L21/762;H01L21/763

优先权：["20221013 EP 22201462.3"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.16#公开

摘要：一种半导体装置，其包括：具有第一导电性类型的基板，所述基板具有顶部表面和底部表面；第一埋层，其在所述基板中安置于距所述顶部表面第一深度处，其中所述第一埋层具有第二导电性类型和第一掺杂浓度；第二埋层，其在所述第一深度处邻近于且包围所述第一埋层，其中所述第二埋层具有所述第二导电性类型和第二掺杂浓度，其中所述第二掺杂浓度小于所述第一掺杂浓度；以及隔离沟槽，其安置于所述基板中且包围所述第二埋层，其中所述隔离沟槽从所述基板的所述顶部表面延伸到第二深度，所述第二深度超过所述第一深度。

主权项：1.一种半导体装置，其特征在于，包括：基板，其具有第一导电性类型，所述基板具有顶部表面和底部表面；第一埋层，其在所述基板中安置于距所述顶部表面第一深度处，其中所述第一埋层具有第二导电性类型和第一掺杂浓度；第二埋层，其在所述第一深度处邻近于且包围所述第一埋层，其中所述第二埋层具有所述第二导电性类型和第二掺杂浓度，其中所述第二掺杂浓度小于所述第一掺杂浓度；以及隔离沟槽，其安置于所述基板中且包围所述第二埋层，其中所述隔离沟槽从所述基板的所述顶部表面延伸到第二深度，所述第二深度超过所述第一深度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 恩智浦有限公司 用于有源组件的隔离结构

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