申请/专利权人：昆山市硕鸿电子科技有限公司

申请日：2023-12-31

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN117887112A

主分类号：C08J5/18

分类号：C08J5/18;C08L83/07;C08L83/04;C08K7/26;B29D7/01

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.03#实质审查的生效;2024.04.16#公开

摘要：本发明涉及的一种低释气低挥发硅胶的制备方法，该低释气低挥发硅胶的制备过程中，通过甲基乙烯基硅氧烷和羟基硅油使硅胶分子链起交联反应，工艺将一定量经过密炼后的低释气低挥发硅胶和硅胶硫化剂在开放式开炼机混炼，使物料与辊筒表面之间的摩擦和粘附作用，减少硅胶本来物质气体挥发。该方法能够将原材材料里面的硅氧烷、水分、气体处理干净，从而制得低挥发、无气泡，低水分硅胶材料；该低释气低挥发硅胶的力学性能大大提高，具有不变粘,不易折断和在有机溶剂中不溶解的性能。该低释气低挥发硅胶的制备方法工艺设计科学合理，工艺简洁易操作，适合推广使用。

主权项：1.一种低释气低挥发硅胶的制备方法，其特征在于其步骤为：以下列各组份为重量份，a、首先，将甲基乙烯基硅氧烷60-70份、交联剂1-3份和羟基硅油0.05-1.5份混合均匀，得到乳液；b、接着，将气相法白炭黑25-35份和乳液混合均匀；c、混炼，放进捏合机进行混炼，把放进捏合机进行混炼，把捏合机温度升至100℃，捏合混炼速度为1500转分钟,进行热处理240分钟；然后升温至160℃，捏合混炼速度为500转分钟，捏合混炼过程中抽真空240分钟，真空度不低于-0.07兆帕，关掉捏合混炼机静止抽真空120分钟，静止过程中真空度不低于-0.07MP，接着常压下，放置硅胶48小时以上，使其完全交联成型；d、向捏合混炼机内加入铂金催化剂0.5-1.5份和硅胶色母2-3份，在开练机上混炼均匀；e、选取聚脂薄膜，将步骤d制备好的低释气低挥发硅胶压延于聚脂薄膜上，形成硅胶复合物；f、将硅胶复合物进行高温烘烤处理，高温烘烤的压延机共有九节烘箱，设定每一节烘箱的温度分别为第一节55℃，第二节65℃，第三节75℃，第四节85℃，第五节95℃，第六节105℃，第七节125℃，第八节135℃，第九节155℃，每节烘箱烘干时间为2-5分钟；g、将聚脂薄膜揭除，制得低释气低挥发硅胶；h、最后用模切机覆合、裁切、包装、入库，完成低释气低挥发硅胶的制备。

全文数据：

权利要求：

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