申请/专利权人：常州欣盛半导体技术股份有限公司

申请日：2024-03-14

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN117894997A

主分类号：H01M4/66

分类号：H01M4/66;H01M10/0525

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.16#公开

摘要：本发明公开了一种铜复合铜集流体结构及制备方法，铜复合铜集流体结构包括：基膜，所述基膜为聚酯膜；所述基膜的两侧均设有复合层，所述复合层与基膜之间设有阻隔层；所述阻隔层由聚四氟乙烯、碳、聚四氟乙烯‑碳复合物、钼、钼铌合金、钼钛合金、钼铼合金、钼铜合金、钼镧合金、钼钽合金等中的一种或多种组成，所述阻隔层的材料纯度大于99.9%。本发明具有避免基膜腐蚀降解，延长了铜复合铜集流体结构的循环寿命的优点。

主权项：1.一种铜复合铜集流体结构，其特征在于，包括：基膜，所述基膜为聚酯膜；所述基膜的两侧均设有复合层，所述复合层与基膜之间设有阻隔层；所述阻隔层由聚四氟乙烯或聚四氟乙烯-碳复合物组成。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 常州欣盛半导体技术股份有限公司 铜复合铜集流体结构及制备方法

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