申请/专利权人：复旦大学

申请日：2024-01-05

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN117897033A

主分类号：H10N10/01

分类号：H10N10/01;H10N10/10;H10N10/85

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.03#实质审查的生效;2024.04.16#公开

摘要：本发明属于钙钛矿热电技术领域，具体是一种同时提高金属卤化物钙钛矿薄膜电导率和泽贝克系数的方法。本发明包括热电器件结构设计和制备，光照激发载流子；热电器件包括基底、钙钛矿薄膜、电子传输层和电极；光照激发载流子过程为：将未沉积电子传输层的区域用掩模板遮盖作为热电器件工作冷端，另一端沉积电子传输层并进行照光，作为器件工作热端。光照激发产生电子空穴对使钙钛矿薄膜电导率上升；其中光生电子在电子传输层作用下被抽取至电极，光生空穴在温差作用下向冷端聚集，抑制双极性扩散导致的载流子复合，提高泽贝克电压，从而增大热电功率因子。本发明同时提升金属卤化物钙钛矿薄膜的电导率和泽贝克系数，成本低廉，工艺简单，应用广泛。

主权项：1.一种同时提高金属卤化物钙钛矿薄膜电导率和泽贝克系数的方法，其特征在于，包括两个步骤：热电器件的结构设计和制备，光照激发载流子；一热电器件结构设计和制备；设计的热电器件包括：基底、钙钛矿薄膜、电子传输层和金属电极；制备过程如下：1将基底表面紫外臭氧；2在上述基底上沉积金属卤化物钙钛矿薄膜，得到实用有效区域，有效区域为矩形或椭圆形；3在上述钙钛矿薄膜上部分区域沉积电子传输层，具体为薄膜其中一端；4在薄膜两端，即分别为电子传输层上和钙钛矿薄膜上，蒸镀金属电极；用于测量电导率及输出电压；二光照激发载流子，具体过程为：将未沉积电子传输层的区域用掩模板遮盖，作为热电器件工作冷端，另一端沉积电子传输层的部分进行照光，作为器件工作热端；光照激发产生电子空穴对，使得钙钛矿薄膜电导率上升；其中光生电子在电子传输层的作用下被抽取至电极，而光生空穴在温差作用下向冷端聚集，从而提高泽贝克电压，两者共同贡献，使热电功率因子增大。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 复旦大学 同时提高金属卤化物钙钛矿薄膜电导率和泽贝克系数的方法

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