申请/专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所

申请日：2019-04-23

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN110868171B

主分类号：H03H3/02

分类号：H03H3/02;H03H3/04;H03H9/02;H03H9/17;H03H9/54

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.16#授权;2020.03.31#实质审查的生效;2020.03.06#公开

摘要：本发明涉及半导体技术领域，公开了一种谐振器、晶片及谐振器制造方法。该谐振器包括衬底；多层结构，形成于所述衬底上，所述多层结构由下至上依次包括下电极层、压电层、上电极层和声镜对；所述上电极层和下电极层中的至少一者包括：电极层和温度补偿层；其中，在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体，所述腔体包括位于所述衬底上表面之下的下半腔体和超出所述衬底上表面并向所述多层结构突出的上半腔体。上述谐振器通过设置具有下半腔体和上半腔体的腔体、声镜对及温度补偿层，从而形成一种新型的谐振器结构，且具有较好的性能。

主权项：1.一种谐振器，其特征在于，包括：衬底；多层结构，形成于所述衬底上，所述多层结构由下至上依次包括下电极层、压电层、上电极层和声镜对；所述上电极层和下电极层中的至少一者包括：电极层和温度补偿层；其中，在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体，所述腔体包括位于所述衬底上表面之下的下半腔体和超出所述衬底上表面并向所述多层结构突出的上半腔体；所述下半腔体由底壁和第一侧壁围成，所述底壁整体与所述衬底表面平行，所述第一侧壁为由所述底壁边缘延伸至所述衬底上表面的第一圆滑曲面；所述第一圆滑曲面包括圆滑过渡连接的第一曲面和第二曲面；所述第一曲面的竖截面呈倒抛物线状，且位于所述底壁所在的平面之上；所述第二曲面的竖截面呈抛物线状，且位于所述衬底上表面所在的平面之下；所述上半腔体由所述多层结构的下侧面围成，所述多层结构与所述上半腔体对应的部分包括顶壁和第二侧壁围成，所述第二侧壁为由所述顶壁边缘延伸至所述衬底上表面的第二圆滑曲面；所述第二圆滑曲面包括圆滑过渡连接的第三曲面和第四曲面；所述第三曲面的竖截面呈抛物线状，且位于所述顶壁所在的平面之下；所述第四曲面的竖截面呈倒抛物线状，且位于所述衬底上表面所在的平面之上；所述第一圆滑曲面的曲率小于第一预设值；所述第二圆滑曲面的曲率小于第二预设值。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国电子科技集团公司第十三研究所 谐振器、晶片及谐振器制造方法

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