申请/专利权人：西安电子科技大学

申请日：2022-06-27

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN115268543B

主分类号：G05F1/56

分类号：G05F1/56

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.16#授权;2022.11.18#实质审查的生效;2022.11.01#公开

摘要：本发明提供的一种互偏置双电压轨产生电路，包括：自启动电路、高电压轨产生电路和低电压轨产生电路。该互偏置双电压轨产生电路在电源电压和地变化时，产生一条始终比电源电压低VREF1的电压轨道，以及一条始终比地高VREF2的电压轨道，且两轨道具有较大的负载能力。本发明可广泛应用在宽范围电平移位电路中，此外本发明的互偏置双电压轨产生电路可以避免采用额外的偏置电路，节省芯片复杂度，且由于采用耐压管，该电路可以在较大电压下稳定工作。

主权项：1.一种互偏置双电压轨产生电路，其特征在于，包括：高电压轨产生电路、自启动电路和低电压轨产生电路；所述低电压轨产生电路的输出端连接到所述高电压轨产生电路输入端；所述自启动电路的输出端以及所述高电压轨产生电路的输出端，共同连接到所述低电压轨产生电路的输入端；所述自启动电路，用于在电路在启动后，通过自身作用使互偏置双电压轨产生电路脱离非理想工作点进入正常工作点，保持互偏置双电压轨产生电路位于稳定的工作状态；所述高电压轨产生电路，用于产生一条始终比电源电压低第一稳定值的电压轨道；所述低电压轨产生电路，用于产生一条始终比地高第二稳定值的电压轨道；所述高电压轨产生电路包括第一齐纳二极管D1、第一MOS管M1和第二MOS管M2；其中，所述第一齐纳二极管D1的负极连接至输入电源端VDD，所述第一齐纳二极管D1的正极连接所述第一MOS管M1的漏极和所述第二MOS管M2的栅极；所述第一MOS管M1的源极和所述第二MOS管M2的漏极连接接地端GND；所述第二MOS管M2的源极作为高电压轨产生电路的输出端，连接所述低电压轨产生电路的输入端，所述第一MOS管M1的栅极作为高电压轨产生电路的输入端连接低电压轨产生电路的输出端；所述自启动电路包括电容C、第三MOS管M3、第四MOS管M4、第五MOS管M5；其中，所述第三MOS管M3的栅极、第四MOS管M4的栅极和所述第五MOS管M5的漏极以及所述电容C的负极均连接接地端GND；所述电容C的正极连接所述第三MOS管M3的漏极以及所述第五MOS管M5的栅极；第四MOS管M4的源极连接至输入电源端VDD；所述第三MOS管M3的源极与第四MOS管M4的漏极连接，所述第五MOS管M5的源极作为自启动电路的输出端与所述高电压轨产生电路的输出端，共同连接到所述低电压轨产生电路的输入端；所述低电压轨产生电路包括第二齐纳二极管D2、第六MOS管M6和第七MOS管M7；其中，所述第二齐纳二极管D2的负极连接所述第六MOS管M6的漏极和所述第七MOS管M7的栅极；所述第二齐纳二极管D2的正极连接接地端GND；所述第六MOS管M6的源极和所述第七MOS管M7的漏极均连接至输入电源端VDD，所述第七MOS管M7的源极作为低电压轨产生电路的输出端连接至所述高电压轨产生电路的输入端。

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百度查询： 西安电子科技大学 一种互偏置双电压轨产生电路

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