申请/专利权人：上海交通大学

申请日：2022-01-07

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN114361274B

主分类号：H01L31/0288

分类号：H01L31/0288;H01L31/18;C30B29/36;C30B23/02

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.16#授权;2022.05.03#实质审查的生效;2022.04.15#公开

摘要：本发明涉及一种基于组分渐变硅碳应变层的硅基半导体光电材料及其制备方法，该材料包括衬底层，以及由下至上依次设于衬底层上的低温缓冲层、组分渐变Si1‑xCx应变层及覆盖层；组分渐变Si1‑xCx应变层由多个依次堆叠设置的Si1‑xCx层组成，多个Si1‑xCx层中C元素掺杂浓度x由下至上依次减小。与现有技术相比，本发明将p区和n区的材料做成组分渐变Si1‑xCx层，利用Si1‑xCx应变层中材料的带隙宽度随C元素掺杂浓度的提高而降低的特点，使组分渐变Si1‑xCx应变层下部区域材料具有较小带隙宽度，可以吸收较长波段的光，组分渐变Si1‑xCx应变层上部区域材料具有较大带隙宽度，可以吸收相对较短波段的光，从而提升材料的光电转换效率。

主权项：1.一种基于组分渐变Si1-xCx应变层的硅基半导体光电材料，其特征在于，该材料包括衬底层（101），以及由下至上依次设于衬底层（101）上的硅缓冲层、组分渐变Si1-xCx应变层及覆盖层（105）；所述的组分渐变Si1-xCx应变层包括设于硅缓冲层与覆盖层（105）之间的n型组分渐变Si1-xCx应变层（103）与p型组分渐变Si1-xCx应变层（104）；所述的n型组分渐变Si1-xCx应变层（103）与p型组分渐变Si1-xCx应变层（104）分别由多个依次堆叠设置的Si1-xCx层组成，多个Si1-xCx层中C元素掺杂浓度x由下至上依次减小。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海交通大学 基于组分渐变硅碳应变层的硅基半导体光电材料与制备

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